[发明专利]制造平板基体的方法

权利要求书

1.一种制造平板基体的方法，所述基体大小至少2500cm²，且具有在真空反应器中用PECVD法沉积的Si层，所述真空反应器具有基体载体第一电极及与之相隔一段空间的气体倾注第二电极，所述方法包括：

a)在所述电极之间的反应空间中产生RF等离子体放电；

b)使介电预涂层沉积在所述反应器的至少部分内表面上；

c)将一个基体引入所述反应器内；

d)使介电层沉积在所述基体的表面上；

e)用PECVD使所述Si层沉积在所述介电层上成为μc-Si层；

f)重复步骤b)至e)以制造每个单一基体。

2.权利要求1的方法，包括提供具有基体载体第一电极及与之间隔一段空间的气体倾注第二电极的所述反应器，和在步骤c)中将所述基体引入以驻留在所述第一基体载体电极上。

3.权利要求1的方法，其中介电预涂层在所述反应器至少一部分内表面上的沉积和介电层在所述基体的第二表面上的沉积中的至少一种是用PECVD法进行的。

4.权利要求1的方法，其中将μc-Si层沉积在所述介电层上包括用等离子体激活气体或混合气体，产生蚀刻自由基和促进层生长的自由基。

5.权利要求4的方法，其中所述气体或混合气体包含SiF₄。

6.权利要求1的方法，其中步骤e)包括等离子体激活包含含硅气体、含卤素气体、氢气的混合气体。

7.权利要求1的方法，其中步骤e)包括等离子体激活含惰性气体的气体或混合气体。

8.权利要求1的方法，其中至少所述基体的所述表面是玻璃。

9.权利要求1的方法，其中步骤b)和步骤d)中至少一个步骤包括沉积氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氟氧化硅中的至少一种。

10.权利要求1的方法，其中步骤b)包括沉积氮化硅。

11.权利要求1的方法，其中步骤b)包括沉积所述介电预涂层，所述介电预涂层有效厚度d是：

200nm≤d≤500nm。

12.权利要求11的方法，其中所述有效厚度d为

200nm≤d≤400nm。

13.权利要求1的方法，其中所述步骤b)包括将所述介电预涂层沉积为无定形材料结构层。

14.权利要求1的方法，其中步骤b)中沉积的所述预涂层和步骤d)中沉积的所述介电层的材料是相同的。

15.权利要求1的方法，还包括在实施步骤b)之前用等离子体清洗所述反应器的至少所述部分内表面。

16.权利要求15的方法，其中所述清洗在等离子体激活的SF6和氧气中进行。

17.权利要求1的方法，该方法用于制造薄膜晶体管显示器基体。

18.权利要求1的方法，该方法用于制造液晶显示器基体。

19.权利要求1的方法，该方法用于制造太阳能电池基体。

20.权利要求1的方法，该方法用于制造有机发光显示板。

21.权利要求1的方法，该方法用于制造具有μc-Si层的基体，该μc-Si层作为半导体器件的层。