[发明专利]研磨剂及半导体集成电路装置的制造方法无效
| 申请号： | 200680022823.8 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101208781A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 竹宫聪 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社;AGC清美化学股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体集成电路装置的制造中的被研磨面的研磨中可获得具有埋入金属配线的绝缘层的平坦的表面。此外，可获得具备高度平坦化的多层结构的半导体集成电路装置。使用于研磨半导体集成电路装置的被研磨面的化学机械研磨用研磨剂中含有平均一次粒径在5～300nm的范围内、研磨剂中的缔合比在1.5～5的范围内的磨粒(A)，氧化剂(B)，保护膜形成剂(C)，酸(D)，碱性化合物(E)和水(F)。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨剂 半导体 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.化学机械研磨用研磨剂，它是在半导体集成电路装置的制造中用于研磨被研磨面的研磨剂，其特征在于，含有平均一次粒径在5～300nm的范围内、研磨剂中的缔合比在1.5～5的范围内的磨粒(A)，氧化剂(B)，保护膜形成剂(C)，酸(D)，碱性化合物(E)和水(F)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
