[发明专利]研磨剂及半导体集成电路装置的制造方法

权利要求书

1.化学机械研磨用研磨剂，它是在半导体集成电路装置的制造中用于研磨被研磨面的研磨剂，其特征在于，含有平均一次粒径在5～300nm的范围内、研磨剂中的缔合比在1.5～5的范围内的磨粒(A)，氧化剂(B)，保护膜形成剂(C)，酸(D)，碱性化合物(E)和水(F)。

2.如权利要求1所述的研磨剂，其特征在于，保护膜形成剂(C)由选自式(1)表示的化合物和式(2)表示的化合物的1种以上的材料形成，

上述式中，R₁为氢原子、碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基或羧基，R₂及R₃互相独立，为氢原子、碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、羧基或氨基。

3.如权利要求1或2所述的研磨剂，其特征在于，磨粒(A)由选自二氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氧化锡、氧化锌及氧化锰的1种以上的材料形成。

4.如权利要求3所述的研磨剂，其特征在于，磨粒(A)由胶体二氧化硅形成。

5.如权利要求1～4中任一项所述的研磨剂，其特征在于，前述研磨剂的总质量为100质量％时，磨粒(A)的含有率为0.1～20质量％、氧化剂(B)的含有率为0.01～50质量％、保护膜形成剂(C)的含有率为0.001～5质量％、酸(D)的含有率为0.01～50质量％、碱性化合物(E)的含有率为0.01～50质量％、水(F)的含有率为40～98质量％。

6.如权利要求1～5中任一项所述的研磨剂，其特征在于，还含有pH缓冲剂，pH在2～10的范围内。

7.如权利要求1～6中任一项所述的研磨剂，其特征在于，所述研磨剂是用于研磨在绝缘层上依次形成了阻挡层和金属配线层的被研磨面的研磨剂。

8.如权利要求1～6中任一项所述的研磨剂，其特征在于，所述研磨剂是用于研磨在低介电常数材料形成的绝缘层上依次形成了覆盖层、阻挡层和金属配线层的被研磨面的研磨剂。

9.如权利要求7或8所述的研磨剂，其特征在于，前述金属配线层由铜形成，阻挡层由选自钽、钽合金及钽化合物的1种以上形成。

10.半导体集成电路装置的制造方法，它是具备被埋入了绝缘层中的金属配线层的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，使用权利要求1～9中任一项所述的研磨剂。