[发明专利]快闪存储器装置中的选择性慢编程会聚有效
| 申请号： | 200680021386.8 | 申请日： | 2006-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101199025A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 米凯莱·因卡尔纳蒂;乔瓦尼·桑廷;托马索·瓦利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用施加到多个存储器单元所耦合到的字线的递增的编程脉冲对所述存储器单元进行编程。在每一脉冲之后，检验操作确定每一单元的阈值电压。当所述阈值电压达到预检验阈值时，用中间电压偏置仅连接到所述特定单元的位线，所述中间电压使所述单元的Vt变化减速。其它单元继续以其正常速度进行编程。在每一单元的Vt均达到所述预检验电平时，用所述中间电压对其进行偏置。在所有所述位线的阈值电压均达到所述检验电压阈值时，用抑制电压来偏置所有所述位线。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 装置 中的 选择性 编程 会聚 | ||
【主权项】：
1.一种用于在包括存储器单元阵列的存储器装置中进行选择性慢编程会聚的方法，所述存储器单元阵列具有通过字线耦合的行和通过位线耦合的列，所述方法包括：增加多个存储器单元中每一者的阈值电压；以及选择性偏置耦合到所述多个存储器单元的位线，使得仅在相关联存储器单元的所述阈值电压达到两个检验阈值电压中的第一检验阈值电压时偏置位线，所述第一检验阈值电压小于第二检验阈值电压。
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