[发明专利]用于制造十字电路器件的方法无效
申请号: | 200680019823.2 | 申请日: | 2006-05-24 |
公开(公告)号: | CN101189720A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 彼得·B·L·迈耶 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种用于在衬底(1)上制造十字电路的方法,所述十字电路包括第一线(10)的第一格子和第二线(17)的第二格子,第一线(10)沿第一方向延伸,第二线沿第二方向延伸,第一方向和第二方向相对于彼此配置为形成单个二维线格子,每一个第一线通过位于第一和第二线重叠的位置处的中间层(14)与每一个第二线隔离;所述方法包括:在衬底上沉积可压印层(2);通过模具(3)将二维格子掩模(5)压印到可压印层(2)上;沿第一方向将第一材料(8)定向沉积到格子掩模上;以及沿第二方向将第二材料(15)定向沉积到格子掩模上,在第一和第二材料的定向沉积期间,所述格子掩模作为遮蔽掩模。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 十字 电路 器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在衬底(1)上制造十字电路器件的方法,所述十字电路器件包括第一线(10)的第一格子和第二线(17)的第二格子,第一线(10)沿第一方向延伸,第二线(17)沿第二方向延伸,第一线(10)的第一方向和第二线(17)的第二方向被相对于彼此配置,从而形成二维线格子,每一个第一线(10)通过位于第一线(10)和第二线(17)重叠的位置处的中间层(14)与每一个第二线(17)隔离;所述方法包括在衬底(1)上沉积可压印层(2)的步骤,其特征在于:-通过模具(3)将二维格子掩模(5)压印到可压印层(2)上,所述格子掩模(5)包括多个柱子(7)和在相邻柱子之间插入的开口(12),并且所述格子掩模(5)与二维线格子互补;-沿实质上第一方向将第一材料(8)定向沉积到二维格子掩模(5)上;以及-沿实质上第二方向将第二材料(15)定向沉积到二维格子掩模(5)上,-在第一和第二材料(8;15)的定向沉积期间,所述二维格子掩模(5)作为遮蔽掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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