[发明专利]用于制造十字电路器件的方法

权利要求书

1.一种用于在衬底(1)上制造十字电路器件的方法，所述十字电路器件包括第一线(10)的第一格子和第二线(17)的第二格子，第一线(10)沿第一方向延伸，第二线(17)沿第二方向延伸，第一线(10)的第一方向和第二线(17)的第二方向被相对于彼此配置，从而形成二维线格子，每一个第一线(10)通过位于第一线(10)和第二线(17)重叠的位置处的中间层(14)与每一个第二线(17)隔离；

所述方法包括在衬底(1)上沉积可压印层(2)的步骤，

其特征在于：

-通过模具(3)将二维格子掩模(5)压印到可压印层(2)上，所述格子掩模(5)包括多个柱子(7)和在相邻柱子之间插入的开口(12)，并且所述格子掩模(5)与二维线格子互补；

-沿实质上第一方向将第一材料(8)定向沉积到二维格子掩模(5)上；以及

-沿实质上第二方向将第二材料(15)定向沉积到二维格子掩模(5)上，

-在第一和第二材料(8；15)的定向沉积期间，所述二维格子掩模(5)作为遮蔽掩模。

2.根据权利要求1所述的用于制造十字电路器件的方法，还包括：

在第一材料(8)的定向沉积之后并且在第二材料(15)的定向沉积之前，沉积中间层材料(13)以形成中间层(14)。

3.根据权利要求1或2所述的用于制造十字电路器件的方法，还包括：

-在压印二维掩模(M)之后，从2-D格子掩模(5)的凹入区域去除残余层(5b)。

4.根据任一前述权利要求所述的用于制造十字电路器件的方法，其中按照相对于已压印衬底的法线方向的沉积角度来执行第一或第二材料的定向沉积，所述沉积角度依赖于格子掩模(5)的高宽比，将所述高宽比定义为柱子(7)的高度与相邻柱子(7)之间的开口(12)的宽度的比。

5.根据权利要求4所述的用于制造十字电路器件的方法，其中高宽比在0.5和2之间，并且沉积角度是相对于衬底(1)上的法线方向的约60度至约45度。

6.根据权利要求1所述的用于制造十字电路器件的方法，其中第一材料(8)或第二材料(15)的定向沉积包括以下步骤中的至少一个：

-定向蒸发所述材料(8；15)，

-定向溅射所述材料(8；15)以及

-使用包括所述材料(8；15)的分子束。

7.根据任一前述权利要求所述的用于制造十字电路器件的方法，其中第一方向(X)和第二方向(Y)是正交的。

8.根据前述权利要求1-6中任一项所述的用于制造十字电路器件的方法，其中第一方向和第二方向是非正交的。

9.根据权利要求8所述的用于制造十字电路器件的方法，其中所述方法还包括：

-沿实质上另外的方向将另外的材料定向沉积到二维格子掩模(5)上，所述另外的方向与第一方向和/或第二方向是非正交的。

10.根据任一前述权利要求所述的用于制造十字电路器件的方法，其中在沉积中间层材料(13)以形成中间层(14)之前沉积粘附层。

11.根据权利要求7所述的用于制造十字电路器件的方法，其中所述粘附层包含钛。

12.根据任一前述权利要求所述的用于制造十字电路器件的方法，其中第一线(10)或第二线(17)的高度等于或小于可压印层的厚度的一半。

13.根据任一前述权利要求所述的用于制造十字电路器件的方法，其中第一材料(8)和第二材料(15)中的至少一种是导电材料。

14.根据任一前述权利要求所述的用于制造十字电路器件的方法，其中所述中间层(14)包含存储材料。

15.根据权利要求14所述的用于制造十字电路器件的方法，其中存储材料的物理和/或化学性质允许中间层(14)的至少两个电学可控的状态。

16.根据权利要求1所述的用于制造十字电路器件的方法，其中二维格子掩模(5)包括外边沿残端(S)，用于将外边沿处的侧面区域(R)划分为较小区域。