[发明专利]由卤代硅烷制备硅的方法有效
| 申请号： | 200680017874.1 | 申请日： | 2006-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101193820A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | N·奥纳 | 申请（专利权）人： | REV可再生能源投资股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;B01J12/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘明海 |
| 地址： | 列支敦士登*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及由卤代硅烷制备硅的方法。在第一步中，将卤代硅烷在产生等离子体放电的情况下转化为卤化聚硅烷，随后在第二步中在加热下分解为硅。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.由卤代硅烷制备硅的方法，其特征在于，在第一步中，将卤代硅烷在产生等离子体放电的情况下转化为卤化聚硅烷，随后在第二步中在加热下分解为硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于REV可再生能源投资股份公司，未经REV可再生能源投资股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680017874.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
