[发明专利]由卤代硅烷制备硅的方法有效
| 申请号： | 200680017874.1 | 申请日： | 2006-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101193820A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | N·奥纳 | 申请（专利权）人： | REV可再生能源投资股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;B01J12/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘明海 |
| 地址： | 列支敦士登*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅烷 制备 方法 | ||
1.由卤代硅烷制备硅的方法，其特征在于，在第一步中，将卤代硅烷在产生等离子体放电的情况下转化为卤化聚硅烷，随后在第二步中在加热下分解为硅。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，使用HnSiX4-n(X＝F、Cl、Br、I，n＝0-3)类化合物或其混合物作为卤代硅烷。
3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，在由卤代硅烷组成的气体或包含卤代硅烷的气体中产生等离子体放电。
4.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，在气体中产生等离子体放电，然后向其中加入由卤代硅烷组成的气体或包含卤代硅烷的气体。
5.根据权利要求3或4的方法，其特征在于，其中所述的在其中产生等离子体放电的气体还包含氢气和/或稀释性的惰性气体和/或有助于等离子体放电的混入物。
6.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，通过向放电区掺入自由载荷子促进等离子体放电。
7.根据权利要求6的方法，其特征在于，通过在电极间施加高压产生自由载荷子。
8.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，通过电磁交变场的照射产生等离子体放电。
9.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，在0.1至1000hPa的压力下进行制备卤化聚硅烷。
10.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，包含卤代硅烷的气体在进行制备卤化聚硅烷的反应器中的进口温度为在-67℃至100℃之间并且离开反应器的气体混合物的温度为低于400℃。
11.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，在其中进行制备卤化聚硅烷的反应器壁温度保持在低于400℃。
12.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，卤化聚硅烷的分解温度为高于500℃。
13.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，在降低的压力下进行卤化聚硅烷的分解。
14.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，在卤化聚硅烷分解期间，气流流经应用的装置。
15.根据权利要求14的方法，其特征在于，在聚硅烷分解期间流经装置的气流包含氢气。
16.根据权利要求14的方法，其特征在于，在聚硅烷分解期间流经装置的气流由惰性气体组成。
17.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，在反应器内部或外部进行分解为硅的反应。
18.根据上述权利要求中任一项的方法，其特征在于，在其中产生等离子体放电的气体包含卤化氢。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于REV可再生能源投资股份公司，未经REV可再生能源投资股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680017874.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
