[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，其IC芯片的厚度为100μm以下，包括半导体衬底。以从半导体衬底的表面到约5μm以内的深度处为元件形成区域，半导体衬底的总厚度为5μm以上100μm以下。在元件形成区域的正下方设置了吸收金属杂质的BMD层。由于能够在元件形成区域正下方形成金属杂质的吸气位置，所以在要求极薄化的器件中，可以抑制由于金属杂质污染导致的器件特性和可靠性劣化，并能够实现器件的成品率的稳定和提高。根据本发明，为了应对元件的大容量化，在要求器件芯片的层叠化的器件、和要求IC卡等中IC芯片厚度极薄化的器件等中，可以抑制由于金属杂质污染导致的器件的特性劣化和可靠性劣化。

主权项

1.一种半导体器件，所述半导体器件的IC芯片的厚度为100μm以下，其中具有半导体衬底；以从所述半导体衬底的表面到约5μm以内的深度处为元件形成区域，所述半导体衬底的总厚度为5μm以上100μm以下；在所述元件形成区域的正下方设置了吸收金属杂质的吸气位置。