[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件的IC芯片的厚度为100μm以下，其中

具有半导体衬底；

以从所述半导体衬底的表面到约5μm以内的深度处为元件形成区域，所述半导体衬底的总厚度为5μm以上100μm以下；

在所述元件形成区域的正下方设置了吸收金属杂质的吸气位置。

2.根据权利要求1记载的半导体器件，其中

所述吸气位置由体微型缺陷、晶体畸变或者与器件的导电类型不同的杂质形成。

3.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件的IC芯片的厚度为100μm以下，该方法包括：

制备直到其表面形成了体微型缺陷的、厚度为95μm以下的硅半导体衬底的工序；和

在所述硅半导体衬底上外延生长约5μm厚的硅层的工序。

4.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件的IC芯片的厚度为100μm以下，所述方法包括：

制备直到其表面形成了体微型缺陷的、厚度为95μm以下的硅半导体衬底的工序；和

在所述硅半导体衬底上粘贴约5μm厚的硅衬底的工序。

5.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件的IC芯片的厚度为100μm以下，其特征在于，

在距半导体衬底的表面约5μm的深度处，形成吸收金属杂质的吸气位置。

6.根据权利要求5记载的半导体器件的制造方法，其中

所述吸气位置的形成是如下进行的：在距所述半导体衬底的表面约5μm的深度处，设置通过离子注入形成的硅晶体畸变。

7.根据权利要求6记载的半导体器件的制造方法，包括：

在厚度为95μm以下的硅半导体衬底的表面附近通过离子注入形成硅晶体畸变的工序；和

在所述硅半导体衬底上，外延生长约5μm厚的硅层的工序。

8.根据权利要求6记载的半导体器件的制造方法，包括：

在厚度为95μm以下的硅半导体衬底的表面附近通过离子注入形成硅晶体畸变的工序；和

在所述硅半导体衬底上，粘贴约5μm厚的硅衬底的工序。

9.根据权利要求5记载的半导体器件的制造方法，其中

所述吸气位置的形成是如下进行的：在距所述半导体衬底表面约5μm的深度处，设置通过激光照射形成的硅晶体畸变。

10.根据权利要求9记载的半导体器件的制造方法，包括：

在厚度为95μm以下的硅半导体衬底的表面附近通过激光照射形成硅晶体畸变的工序；和

在所述硅半导体衬底上，外延生长约5μm厚的硅层的工序。

11.根据权利要求9记载的半导体器件的制造方法，还包括：

在厚度为95μm以下的硅半导体衬底的表面附近通过激光照射形成硅晶体畸变的工序；和

在所述硅半导体衬底上，粘贴约5μm厚的硅衬底的工序。

12.根据权利要求5记载的半导体器件的制造方法，其中

所述吸气位置的形成是如下进行的：在距半导体衬底表面约5μm的深度处，注入与器件的导电类型不同的杂质，由此形成成为吸气位置的势垒。

13.根据权利要求1记载的半导体器件，所述半导体衬底的总厚度为50μm以下。

14.一种IC芯片的厚度为100μm以下的IC卡，其中

具有半导体衬底；

以从所述半导体衬底的表面到约5μm以内的深度处为元件形成区域，所述半导体衬底的总厚度为5μm以上100μm以下；

在所述元件形成区域的正下方设置了吸收金属杂质的吸气位置。

15.根据权利要求14记载的IC卡，其中所述半导体衬底的总厚度为50μm以下。