[发明专利]静电击穿保护电路及半导体集成电路设备

摘要

根据本发明的保护电路包括：二极管(D1)，其阳极与栅极信号输入端子连接，其阴极与输出晶体管(N1)的栅极连接；电阻器(R1)，其一端与所述栅极信号输入端子连接，其另一端接地；PNP双极型晶体管(Qp1)，其发射极、基极、集电极分别与所述输出晶体管(N1)的栅极、电阻器(R1)的所述一端和地连接。采用这种配置，可以在不需要电能的情况下，防止开漏输出晶体管由于施加其上的静电脉冲等而错误地导通，从而保护开漏输出晶体管免受静电击穿。

主权项

1.一种用于保护开漏输出晶体管免受静电击穿的静电击穿保护电路，包括：二极管，其阳极与所述输出晶体管的信号输入端子连接，其阴极与所述输出晶体管的栅极连接；第一电阻器，其一端与所述信号输入端子连接，其另一端接地；以及PNP双极型晶体管或P沟道场效应晶体管，其发射极或源极与所述输出晶体管的栅极连接，其基极或栅极与第一电阻器的所述一端连接，以及其集电极或漏极接地。