[发明专利]静电击穿保护电路及半导体集成电路设备

权利要求书

1.一种用于保护开漏输出晶体管免受静电击穿的静电击穿保护电路，包括：

二极管，其阳极与所述输出晶体管的信号输入端子连接，其阴极与所述输出晶体管的栅极连接；

第一电阻器，其一端与所述信号输入端子连接，其另一端接地；以及

PNP双极型晶体管或P沟道场效应晶体管，

其发射极或源极与所述输出晶体管的栅极连接，

其基极或栅极与第一电阻器的所述一端连接，以及

其集电极或漏极接地。

2.根据权利要求1所述的静电击穿保护电路，还包括：

箝位元件，与所述输出晶体管并联连接，所述箝位元件的触发电压设为低于所述输出晶体管的设计耐压。

3.根据权利要求1所述的静电击穿保护电路，还包括：

第二电阻器，连接在所述PNP双极型晶体管的集电极或所述P沟道场效应晶体管的漏极与地之间；以及

多级NPN双极型晶体管，以达林顿组态连接在所述输出晶体管的栅极与地之间，所述NPN双极型晶体管的第一级晶体管的基极与第二电阻器的一端连接。

4.一种半导体集成电路设备，包括：

开漏输出晶体管；反相器，用于向所述输出晶体管的栅极输入信号；以及静电击穿保护电路，用于保护所述输出晶体管免受静电击穿，

其中所述半导体集成电路设备包括根据权利要求1所述的静电击穿保护电路，作为所述静电击穿保护电路。