[发明专利]集成电路及其制造方法有效

申请号：	200680015140.X	申请日：	2006-04-19
公开（公告）号：	CN101171671A	公开（公告）日：	2008-04-30
发明（设计）人：	D·陈	申请（专利权）人：	先进微装置公司
主分类号：	H01L21/318	分类号：	H01L21/318;H01L21/314;H01L21/768
代理公司：	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人：	戈泊
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	本发明揭露了一种具有多个通过场区(18)分隔彼此的作用区(active region)(12，14，16)的集成电路(10，250)以及一种用于制造所述集成电路(10，250)的方法。在第一作用区(12)与场区(18)上形成第一多晶硅指状件(finger)(20)，而在第二作用区(16)与场区(18)上形成第二多晶硅指状件(22)。在第一作用区(12)与场区(18)上形成第一电介质层(168)，而在第二作用区(16)与在场区(18)上的第一电介质层(168)的一部分上形成第二电介质层(170)。在第一多晶硅指状件(20)上形成第一电互连组件(electricalinterconnect)(175)且所述第一电互连组件与第一多晶硅指状件(20)介电性地(dielectrically)隔离，而在第二作用区(16)上形成第二电互连组件(177)且所述第二电互连组件(177)与第二作用区(16)介电性地隔离。第二电互连组件(177)电连接至第二多晶硅指状件(22)。
搜索关键词：	集成电路及其制造方法
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【主权项】：

1.一种用于制造集成电路(10、250)的方法，包括下列步骤：提供具有至少一个作用区(12、14、16)与至少一个场区(18)的半导体衬底(24)，至少一个所述作用区(12、14、16)具有至少一个半导体装置(32、34、116、118)；在至少一个所述作用区(12、14、16)与至少一个所述场区(18)上形成第一电介质结构(168)；在第一电介质结构(168)的一部分上形成第二电介质结构(170)；移除在至少一个所述作用区(12、14、16)上的第二电介质结构(170)的一部分；以及形成至少一个从至少一个所述半导体装置(32、34、116，、118)延伸出来的互连组件(175、177)，所述半导体装置位于至少一个所述作用区(12、14、16)上与至少一个所述场区(18)上。

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