[发明专利]集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造集成电路(10、250)的方法，包括下列步骤：

提供具有至少一个作用区(12、14、16)与至少一个场区(18)的半导体衬底(24)，至少一个所述作用区(12、14、16)具有至少一个半导体装置(32、34、116、118)；

在至少一个所述作用区(12、14、16)与至少一个所述场区(18)上形成第一电介质结构(168)；

在第一电介质结构(168)的一部分上形成第二电介质结构(170)；

移除在至少一个所述作用区(12、14、16)上的第二电介质结构(170)的一部分；以及

形成至少一个从至少一个所述半导体装置(32、34、116，、118)延伸出来的互连组件(175、177)，所述半导体装置位于至少一个所述作用区(12、14、16)上与至少一个所述场区(18)上。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成第一电介质结构(168)的步骤包括形成第一电介质结构(168)为氮化硅层，形成第二电介质结构(170)的步骤包括形成第二电介质结构(170)为氮化硅层。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成第一电介质结构(168)的步骤包括形成第一电介质结构(168)为受压缩性应力的氮化硅层，形成第二电介质结构(170)的步骤包括形成第二电介质结构(170)为受拉伸性应力的氮化硅层。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成第一电介质结构(168)的步骤包括形成第一电介质结构(168)为受拉伸性应力的氮化硅层，形成第二电介质结构(170)的步骤包括形成第二电介质结构(170)为受压缩性应力的氮化硅层。

5.如权利要求4所述的方法，其中形成第一电介质结构(168)的步骤包括形成第一电介质结构(168)为等离子增强化学气相沉积的氮化硅层，形成第二电介质结构(170)的步骤包括形成第二电介质结构(170)为等离子增强化学气相沉积的氮化硅层。

6.一种用于制造集成电路(10、250)的方法，包括下列步骤：

提供具有第一作用区(12)与第二作用区(14)的半导体衬底(24)，其中所述作用区通过场区(18)而彼此电隔离的；

从第一作用区域(12)形成第一半导体装置(32)且从第二作用区(14)形成第二半导体装置(116)；

在第一作用区(12)上与场区(18)上形成第一电介质材料层(168)；以及

在第二作用区(14)上、第一电介质材料层(168)的一部分上以及场区(18)上形成第二电介质材料层(170)，其中第一电介质材料层(168)基本上不存在于第二作用区(14)上的区域中，而第二电介质材料层(170)基本上不存在于第一作用区(12)上的区域中。

7.如权利要求6所述的方法，其中，从第一作用区域(12)形成第一半导体装置(32)以及从第二作用区(14)形成第二半导体装置(116)的步骤包括：

在第一作用区(12)与场区(18)上形成第一多晶硅层(20)；以及

在第二作用区(16)与场区(18)上形成第二多晶硅层(22)，其中该第一多晶硅层(20)与第二多晶硅层(22)在空间上彼此分离；且其中

第一电介质材料层(168)选自包括氮化硅、受压缩性应力的氮化硅、受拉伸性应力的氮化硅、二氧化硅、氟化硅石、氧氮化硅、碳化硅、氧碳化硅、碳氮化硅、非晶硅、甲基倍半硅氧烷以及聚合物薄膜的电介质材料组；且其中

第二电介质材料层(170)选自包括氮化硅、受压缩性应力的氮化硅、受拉伸性应力的氮化硅、二氧化硅、氟化硅石、氧氮化硅、碳化硅、氧碳化硅、碳氮化硅、非晶硅、甲基倍半硅氧烷以及聚合物薄膜的电介质材料组。