[发明专利]集成电路及其制造方法

说明书

技术领域

一般而言，本发明是有关于集成电路，且尤关于在集成电路中的绝缘结构。

先前技术

集成电路通常包含多个从半导体衬底制造的有源装置与无源装置。有源装置包括晶体管与二极管，而无源装置包括电阻器与电容器。集成电路的制造牵涉许多的处理步骤包括氧化作用、材料沉积、光刻(photolithography)、蚀刻、离子注入、硅化物形成、以及金属互连组件形成。例如，通过在半导体衬底上形成栅极电介质层与在栅极电介质层上形成多晶硅层，可制造出例如晶体管的半导体装置。在多晶硅层上图案化(pattern)光刻胶层使得多晶硅层的部分暴露出来。这些暴露的多晶硅层部分被各向异性地(anisotropically)蚀刻以形成栅极结构并使得邻近栅极结构的部分栅极电介质材料暴露出来。移除光刻胶的余留部分，而在栅极结构与栅极电介质材料上形成电介质材料层。栅极电介质材料被各向异性地蚀刻以形成邻近栅极结构之侧面的间隔件(spacer)。注入杂质材料至邻近间隔件的半导体衬底的部分以形成掺杂区域(doped region)。所述杂质材料也注入至栅极结构的多晶硅部分。在栅极结构与半导体衬底的暴露部分上形成电介质材料层。从栅极结构与从掺杂区域形成硅化物。在栅极结构与硅化物上形成蚀刻停止层。电介质材料层可形成在蚀刻停止层上。视需要，另一蚀刻停止层可形成在电介质层上且另一电介质层材料可形成在第二蚀刻停止层上。典型上，蚀刻停止层是从电介质材料形成的。使用例如单一金属镶嵌(damascene)程序或双金属镶嵌程序，而可从电介质材料层与从蚀刻停止层形成电互连组件(electrical interconnect)。电互连组件电性地使半导体装置互相连接。

因此，在集成电路制造期间以及在集成电路本身，电介质材料供应了许多功能。例如，电介质材料作为蚀刻掩模、注入掩模、蚀刻停止层、保护掩模、间隔件、应变引发结构(strain inducement structure)等等。此外，电介质材料在集成电路中不同的导电装置间提供了电隔离。在半导体装置的形成中使用电介质材料的缺点在于设计以蚀刻其中一个电介质层的处理步骤可能会蚀刻穿过(through)其它电介质层，造成在半导体装置间或在半导体装置内的电性短路。

因此，具有一种集成电路与一种用于制造集成电路的方法，所述集成电路禁止半导体装置的电性短路并能兼容于多种半导体程序，将会是有利的。将更有利的是使所述集成电路符合成本效益(costefficient)且使所述方法符合成本与时间效益。

发明内容

本发明通过提供一种具有用于增加电互连路由变通性(routingversatility)的多个电介质层的集成电路与一种用于制造所述集成电路的方法而满足上述的需求。依照一个态样，本发明包含一种用于制造集成电路的方法，包括提供具有至少一个作用区与至少一个场区的半导体衬底，其中至少一个所述作用区具有从其形成的至少一个半导体装置。在至少一个作用区与至少一个场区上形成第一电介质层。在第一电介质层的一部分上形成第二电介质层。移除在至少一个作用区上的第二电介质层的一部分。形成至少一个从至少一个半导体装置延伸出来的互连组件，所述半导体装置位于至少一个作用区上与至少一个场区上。

依照另一个态样，本发明包括一种用于制造集成电路的方法，包含提供具有第一作用区与第二作用区的半导体衬底，其中所述作用区通过场区而彼此电隔离的。从第一作用区形成第一半导体装置，以及从第二作用区形成第二半导体装置。在第一作用区上与场区上形成第一电介质材料层。在第二作用区上与在场区上的第一电介质材料层的一部分上形成第二电介质材料层。第一电介质材料层基本上不存在于所述第二作用区上的区域中，而第二电介质材料层基本上不存在于所述第一作用区上的区域中。

依照另一个态样，本发明包含一种集成电路，包括具有作用区与场区的半导体衬底、以及从作用区形成半导体装置。配置在作用区的一部分与场区上的多晶硅条。配置在作用区与场区上的第一电介质材料层，以及配置在第一电介质材料层的一部分上的第二电介质材料层，所述第一电介质材料层的一部分是在场区上。配置在多晶硅条上的电互连结构，其中所述电互连结构与多晶硅条介电性地隔开。

附图说明

通过阅读上述的详细描述与结合伴随的图式，将会更了解本发明，其中相似的组件符号标示相似的组件，且其中：

图1系依照本发明实施例在开始的制造阶段的集成电路的俯视图；

图2系沿着图1的截面线2-2所截取的集成电路的侧视截面图；