[发明专利]具有不同阻挡特性的栅极电介质的半导体器件无效
| 申请号： | 200680014504.2 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101167178A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | K·维克措雷克;M·拉布;K·罗梅罗 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过局部地调整N沟道晶体管及P沟道晶体管的栅极绝缘层205A，205B的阻挡能力，可增强P沟道晶体管的可靠性及阈稳定性(threshold stability)，而仍然可将N沟道晶体管的电子移动性(electron mobility)保持在高程度。可通过将不同量的介电掺杂剂加入至各别的栅极绝缘层部分205A，205B，而达到该目的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 阻挡 特性 栅极 电介质 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括下列步骤：在第一半导体区202及第二半导体区203上形成栅极绝缘层205；以及选择性地调整该栅极绝缘层205的掺杂剂阻挡能力，使该栅极绝缘层205中对应于该第一半导体区202的第一部分205A的掺杂剂在阻挡能力上、与该栅极绝缘层205中对应于该第二半导体区203的第二部分205B不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
