[发明专利]具有不同阻挡特性的栅极电介质的半导体器件

权利要求书

1.一种方法，包括下列步骤：

在第一半导体区202及第二半导体区203上形成栅极绝缘层205；以及

选择性地调整该栅极绝缘层205的掺杂剂阻挡能力，使该栅极绝缘层205中对应于该第一半导体区202的第一部分205A的掺杂剂在阻挡能力上、与该栅极绝缘层205中对应于该第二半导体区203的第二部分205B不同。

2.如权利要求1所述的方法，其中选择性地调整该栅极绝缘层的阻挡能力的该步骤包括下列步骤：

将第一浓度的第一种类的介电掺杂剂导入至该第一部分205A；以及

将第二浓度的第二种类的介电掺杂剂导入至该第二部分205B，该第一及第二部分在介电掺杂剂的浓度及种类中的至少一个是不同的。

3.如权利要求2所述的方法，其中将该第一种类选择性地导入至该第一部分205A，且将该第二种类共同地导入至该第一及第二部分205A，205B。

4.如权利要求3所述的方法，其中选择性地导入该第一种类的该步骤包括下列步骤：在该栅极绝缘层之上形成掩模233，该掩模露出该第一部分205A且覆盖该第二部分205B。

5.如权利要求2所述的方法，其中该第一及第二种类的介电掺杂剂中的至少一个是氮。

6.如权利要求2所述的方法，其中该第一及第二种类包括氮。

7.如权利要求3所述的方法，其中在导入该第二种类之前，导入该第一种类。

8.如权利要求3所述的方法，其中在导入该第一种类之前，导入该第二种类。

9.如权利要求3所述的方法，进一步包括下列步骤：在导入该第一及第二种类之后，执行热处理。

10.如权利要求2所述的方法，其中在形成该栅极绝缘层205之前，将该第一种类导入到至少该第一半导体区202。

11.如权利要求10所述的方法，其中在形成该栅极绝缘层205之后，将该第二种类导入至该第一及第二部分205A，205B。

12.如权利要求10所述的方法，其中在形成该栅极绝缘层205之前，将该第一种类导入至该第一及第二半导体区202，203。

13.如权利要求12所述的方法，其中在形成该栅极绝缘层205之后，将该第二种类导入至该第一及第二部分205A，205B中的一个。

14.如权利要求2所述的方法，其中在形成该栅极绝缘层205之前，将该第一及第二种类导入至该第一及第二半导体区202，203。

15.如权利要求1所述的方法，进一步包括下列步骤：在该第一半导体区202之上形成第一晶体管210的第一栅电极结构211；以及在该第二半导体区203之上形成第二晶体管220的第二栅电极结构221。

16.一种半导体器件，包括

第一晶体管210，该第一晶体管包含第一栅电极结构211，该第一栅电极结构具有在第一半导体区202之上形成的第一栅极绝缘层205A；以及

第二晶体管220，该第二晶体管包含第二栅电极结构221，该第二栅电极结构具有在第二半导体区203之上形成的第二栅极绝缘层205B，

该第一栅极绝缘层205A具有第一掺杂剂扩散阻挡能力，该第一掺杂剂扩散阻挡能力与该第二栅极绝缘层205B的第二掺杂剂扩散阻挡能力不同。

17.如权利要求16所述的半导体器件，其中该第一及第二晶体管代表互补晶体管对。