[发明专利]肖特基器件及形成方法有效
| 申请号： | 200680013750.6 | 申请日： | 2006-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101523554A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 维什努·K·凯姆卡;维贾·帕塔萨拉蒂;祝荣华;阿米塔瓦·鲍斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/28;H01L21/44;H01L21/33;H01L21/338 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;陆锦华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种肖特基器件(5)，具有多个基本单元，每个基本单元具有肖特基接触部分(13)，其被终止结构(22)围绕，在反相偏压条件期间，该终止结构导致相对于该器件的表面，在垂直和水平方向上形成耗尽区。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成肖特基器件的方法，包括：在半导体衬底的第一位置形成第一基本单元，其中该第一基本单元包括肖特基接触，以及被第二导电类型的第一区域横向地围绕并覆盖该第二导电类型的第一区域的第一导电类型的结构，其中该肖特基接触是到第一区域的肖特基接触；在半导体衬底的第二位置形成终止结构，其包括：第二导电类型的第一层；覆盖并临近第一层并且临近第一区域的第一导电类型的第二层，其中通过第一和第二层形成第一界面，以及在距由肖特基接触形成的平面最远的位置，第一界面相对由肖特基接触形成的平面的深度大于第一基本单元的结构的深度；覆盖并临近第二层的第二导电类型的第三层，其中通过第三层和第二层形成第二界面；以及在半导体衬底的第三位置形成阴极接触；其中，当从平面图视察时，终止结构在第一基本单元和阴极端子接触之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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