[发明专利]肖特基器件及形成方法

权利要求书

1.一种形成肖特基器件的方法，包括：

在半导体衬底的第一位置形成第一基本单元，其中该第一基本单元包括肖特基接触，以及被第二导电类型的第一区域横向地围绕并覆盖该第二导电类型的第一区域的第一导电类型的结构，其中该肖特基接触是到第一区域的肖特基接触；

在半导体衬底的第二位置形成终止结构，其包括：

第二导电类型的第一层；

覆盖并临近第一层并且临近第一区域的第一导电类型的第二层，其中通过第一和第二层形成第一界面，以及第一界面相对由肖特基接触形成的平面的深度大于第一基本单元的结构的深度；

覆盖并临近第二层的第二导电类型的第三层，其中通过第三层和第二层形成第二界面；以及

在半导体衬底的第三位置形成阴极接触；

其中，当从平面图视察时，终止结构在第一基本单元和阴极端子接触之间。

2.如权利要求1的方法，其中终止结构包括围绕第一基本单元的环形结构，其中第三层是该环形结构的一部分。

3.如权利要求1的方法，还包括，形成包括第一基本单元的多个基本单元。

4.如权利要求1的方法，还包括，形成电耦合到第一层的阴极接触。

5.如权利要求4的方法，还包括，形成电耦合到第一层的第二导电类型的第二区域，其中该阴极接触通过第二区域电耦合到第一层，以及该第二区域具有比第一区域更大的掺杂剂浓度。

6.如权利要求5的方法，其中该第二区域临近第三层。

7.如权利要求1的方法，其中第一导电类型是P-掺杂，以及第二导电类型是N-掺杂。

8.如权利要求1的方法，还包括，形成覆盖并临近该终止结构和第一基本单元的结构的介质层。

9.如权利要求1的方法，其中该第一层在第一区域底下。

10.如权利要求9的方法，其中该第一层临近第一区域。

11.肖特基器件，包括：

在半导体衬底的第一位置的第一基本单元，其中该第一基本单元包括肖特基接触，和被第二导电类型的第一区域横向地围绕并覆盖该第二导电类型的第一区域的第一导电类型的结构，其中该肖特基接触是到第一区域的肖特基接触；

在半导体衬底的第二位置处的终止结构，包括：

第二导电类型的第一层

覆盖并临近该第一层并且临近第一区域的第一导电类型的第二层，其中通过第一和第二层形成第一界面，以及该第一界面相对于由肖特基接触形成的平面的深度大于第一基本单元的结构的深度；

覆盖并临近第二层的第二导电类型的第三层，其中通过第三层和第二层形成第二界面；以及

在半导体衬底的第三位置处的阴极接触；

其中，当从平面图视察时，该终止结构在第一基本单元和阴极端子接触之间。

12.如权利要求11的器件，其中该终止结构包括围绕第一基本单元的环形结构，并且该第三层是环形结构的一部分。

13.如权利要求11的器件，还包括电耦合到第一层的阴极接触。

14.如权利要求11的器件，还包括覆盖并临近该终止结构和第一基本单元的结构的介质层。

15.如权利要求11的器件，其中终止结构的第一层在第一区域底下。

16.如权利要求11的器件，其中该基本单元进一步在形成肖特基接触的导电结构底下并临近该导电结构。

17.一种形成肖特基器件的方法，包括：

在半导体衬底的第一位置形成第一基本单元，其中该第一基本单元包括肖特基接触，以及被第二导电类型的第一区域横向地围绕并覆盖该第二导电类型的第一区域的第一导电类型的结构，其中该肖特基接触是到第一区域的肖特基接触；

在该半导体衬底的第二位置形成终止结构，其包括：

第二导电类型的第一层；

覆盖并临近该第一层并且临近该第一区域的第一导电类型的第二层，其中通过第一和第二层形成第一界面，以及第一界面相对由肖特基接触形成的平面的深度大于第一基本单元的结构的深度；

覆盖并临近第二层的第二导电类型的第三层，其中通过该第三层和第二层形成第二界面；

形成电耦合到第一层的第二导电类型的第二区域，其中该第二区域具有比第三层更大的掺杂剂浓度；

形成到第二区域的阴极接触，其中，当从平面图视察时，该终止结构在第一基本单元和阴极接触之间；以及

形成覆盖并临近该终止结构和第一基本单元的结构的介质层。