[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200680012102.9 申请日: 2006-04-12
公开(公告)号: CN101160657A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: 糟谷泰正;藤井贞雅 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H05K1/11
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在本发明的半导体制造方法中,首先,在原基板的一个面,在跨规定切断线的区域形成一侧金属层。另外,在原基板的另一面,在与一侧金属层对置的位置形成另一侧金属层。接着,在跨切断线的位置,形成连续贯通另一侧金属层及原基板的连续贯通孔。然后,在另一侧金属层的表面、连续贯通孔的内面及内部端子的面对连续贯通孔面对的部分,覆盖金属镀层。之后,在将原基板分割成单个支承基板之前,将切断线上的另一侧金属层及该另一侧金属层上的金属镀层除去。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:半导体芯片;将所述半导体芯片支承在一面上的支承基板;设置于所述支承基板的所述一面,与所述半导体芯片电连接的内部端子;设置于所述支承基板的与所述一面相反一侧的另一面,从相对所述支承基板的端缘隔开规定宽度间隔的位置朝向内方延伸的外部端子;以及,在所述支承基板的所述一面及所述另一面之间贯通设置,连接所述内部端子和所述外部端子的连接布线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司,未经罗姆股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680012102.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top