[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体芯片；

将所述半导体芯片支承在一面上的支承基板；

设置于所述支承基板的所述一面，与所述半导体芯片电连接的内部端子；

设置于所述支承基板的与所述一面相反一侧的另一面，从相对所述支承基板的端缘隔开规定宽度间隔的位置朝向内方延伸的外部端子；以及，

在所述支承基板的所述一面及所述另一面之间贯通设置，连接所述内部端子和所述外部端子的连接布线。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述支承基板的端面，跨所述一面及所述另一面形成有在该端面处开放的槽，

所述连接布线沿着所述槽的内面形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述支承基板中，形成有从所述另一面朝向所述一面凹陷，并在所述支承基板的端面开放的凹部；和贯通所述一面及所述另一面之间，并与所述凹部连通的贯通孔，

所述连接布线沿着所述贯通孔的内面形成。

4.一种半导体装置的制造方法，用于制造具备半导体芯片和对该半导体芯片进行支承的支承基板的半导体装置，

所述制造方法包括：在具有绝缘性的原基板的一面中跨规定切断线的区域，形成一侧金属层的工序；

在所述原基板的与所述一面相反一侧的另一面中，在相对所述一侧金属层在与所述一面正交的方向上对置的位置，形成另一侧金属层的工序；

在跨所述切断线的位置，形成连续贯通所述另一侧金属层及所述原基板的连续贯通孔的工序；

在所述另一侧金属层的表面、所述连续贯通孔的内面及所述内部端子的面对所述连续贯通孔的部分，覆盖金属镀层的镀覆工序；

在所述镀覆工序之后，从所述切断线上起，将所述原基板的所述另一面上的所述另一侧金属层及所述金属镀层除去的金属除去工序；以及

在所述金属除去工序之后，让所述原基板与切断工具相对移动，使得所述切断工具从所述原基板的所述一面侧向所述另一面侧脱出，沿着所述切断线切断所述原基板，将所述原基板分割成单个支承基板的切断工序。

5.一种半导体装置的制造方法，用于制造具备半导体芯片和对该半导体芯片进行支承的支承基板的半导体装置，

所述制造方法包括：在具有绝缘性的原基板的一面中跨规定切断线的区域，形成一侧金属层的工序；

在所述原基板的与所述一面相反一侧的另一面中，在相对所述一侧金属层在与所述一面正交的方向上对置的位置，形成另一侧金属层的工序；

在相对所述切断线相互对称的两个位置，形成连续贯通所述另一侧金属层及所述原基板的连续贯通孔的工序；

在所述另一侧金属层的表面、各所述连续贯通孔的内面及所述内部端子的面对所述连续贯通孔的部分，覆盖金属镀层的镀覆工序；

所述镀覆工序之后，在两个所述连续贯通孔之间，且在沿着所述切断线的方向具有所述另一侧金属层宽度以上的宽度的区域，形成从所述原基板的所述另一面侧向所述一面侧凹陷，并连通两个所述连续贯通孔的凹部的凹部形成工序；以及

在所述凹部形成工序之后，让所述原基板和切断工具相对移动，使得所述切断工具从所述原基板的所述一面侧向所述另一面侧脱出，沿着所述切断线切断所述原基板，将所述原基板分割成单个支承基板的切断工序。

6.一种半导体装置，包括：

半导体芯片；

将所述半导体芯片支承在一面上的支承基板；

设置于所述支承基板的所述一面，与所述半导体芯片电连接的内部端子；

设置于所述支承基板的与所述一面相反一侧的另一面，从所述支承基板的端缘朝向内方延伸的外部端子；和

贯通所述支承基板的所述一面及所述另一面之间，连接所述内部端子和所述外部端子的连接布线；

所述外部端子，一体化具备：沿着所述支承基板的端缘配置，具有相对小的厚度的薄部；和相对所述薄部配置在内方，具有相对大的厚度的厚部。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

还包括毛边防止层，其相对所述薄部设置在与所述支承基板相反一侧，具有所述薄部的厚度与所述厚部的厚度之差以下的厚度。