[发明专利]电介质膜及其形成方法无效
| 申请号： | 200680003184.0 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101120437A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;寺本章伸;后藤哲也;河濑和雅 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电介质膜，通过使处于Si3≡N结合状态的N以3原子％以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上，并以0.1原子％以下的浓度存在于界面侧上，可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用Ar/N2游离基氮化的情况下，难以使处于上述结合状态的N浓度同时满足在表面侧达到3原子％以上，在界面侧达到0.1原子％以下，但通过对Xe/N2、Kr/N2、Ar/NH3、Xe/NH3、Kr/NH3、Ar/N2/H2、Xe/N2/H2、Kr/N2/H2的任意一种气体进行组合使用，可以实现上述的N浓度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电介质膜，其形成于硅表面上，其特征在于，所述电介质膜表面的N浓度为3原子％以上，且存在于所述硅表面和电介质膜界面的N浓度为0.1原子％以下，且膜厚为2nm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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