[发明专利]电介质膜及其形成方法

权利要求书

1.一种电介质膜的形成方法，其特征在于，包括：

在硅基板表面上形成硅氧化膜的工序；

将所述硅氧化膜的表面暴露在氮化性游离基种、氮化性激发活性种或氮化性离子种的氮化种中进行改变的工序，

并且，将所述硅氧化膜表面暴露在氮化性游离基种、氮化性激发活性种或氮化性离子种中进行改变的工序在600℃以下的温度进行，且在500～600℃的真空中或N₂、Ar、Xe、Kr的惰性气体中进行后退火。

2.根据权利要求1所述的电介质膜的形成方法，其特征在于，在使用所述氮化性游离基种的情况下，所述氮化性游离基种是从N游离基、N⁺离子游离基、N₂游离基、N²⁺离子游离基、NH游离基及NH⁺离子游离基组成的集团中选出的至少一种游离基。

3.根据权利要求1所述的电介质膜的形成方法，其特征在于，在使用所述氮化性游离基种的情况下，所述氮化性游离基可以通过微波等离子体形成，该微波等离子体在Ar和NH₃的混合气体、Xe和N₂的混合气体、Xe和NH₃的混合气体、Kr和N₂的混合气体、Kr和NH₃的混合气体、Ar和N₂以及H₂的混合气体、Xe和N₂以及H₂的混合气体、或者Kr和N₂以及H₂的混合气体中形成。

4.根据权利要求1所述的电介质膜的形成方法，其特征在于，将所述硅氧化膜的表面暴露在氮化性游离基种、氮化性激发活性种或氮化性离子种中进行改变的工序，在600℃以下的温度进行，且在500～600℃的真空中或N₂、Ar、Xe、Kr等的惰性气体中进行的后退火兼作后续工序的poly-Si成膜的预退火，从而削减后退火工序。

5.根据权利要求3所述的电介质膜，其特征在于，所述等离子体的产生方法是通过从径向线缝隙天线发射出的微波生成等离子体。