[发明专利]利用可组装荫罩模组来进行不同材料的荫罩蒸镀有效
| 申请号: | 200680000288.6 | 申请日: | 2006-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN101124656A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
| 发明(设计)人: | 托马斯·P·布罗迪 | 申请(专利权)人: | 阿德文泰克全球有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3205;H01L21/44;H01L21/31;H01L21/469;B05C11/11;C23C16/00 |
| 代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丛芳;彭晓玲 |
| 地址: | 英属维尔京*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要: | 一种荫罩沉积系统包括多个相同的荫罩,利用排列在多个仓中的相同荫罩形成类似数量的复合荫罩,每个复合荫罩连同一个材料沉积源放置在一个沉积真空容器中。通过在相应复合荫罩中的开孔,利用材料沉积源在基体上沉积材料,每个开孔是由形成复合荫罩的多个荫罩中的孔的全部或部分排列而成,从而在基体上形成一排电子元件。 | ||
| 搜索关键词: | 利用 组装 模组 进行 不同 材料 荫罩蒸镀 | ||
【主权项】:
1.形成一种电子装置的一种荫罩沉积方法包括:(a)推进一基体通过多个沉积真空容器,每个沉积真空容器都包括一个材料沉积源和位于其中的一个复合荫罩;和(b)利用位于每个沉积真空容器中的材料沉积源在基体上沉积材料,通过相应复合荫罩在基体上形成由一排电子元件组成的一个电路,其中:每个复合荫罩包括一个第一荫罩,第一荫罩带有至少一个在其上通过的第一孔和一个第二荫罩,第二荫罩带有至少一个在其上通过的第二孔;和每个复合荫罩的第一和第二荫罩都通过和一个第二孔排列成行的一个第一孔定位,按所需要尺寸规定开孔,经过复合荫罩按照所需要的图样在其上通过的基体上沉积材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





