[发明专利]利用可组装荫罩模组来进行不同材料的荫罩蒸镀有效
| 申请号: | 200680000288.6 | 申请日: | 2006-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN101124656A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
| 发明(设计)人: | 托马斯·P·布罗迪 | 申请(专利权)人: | 阿德文泰克全球有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3205;H01L21/44;H01L21/31;H01L21/469;B05C11/11;C23C16/00 |
| 代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丛芳;彭晓玲 |
| 地址: | 英属维尔京*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 组装 模组 进行 不同 材料 荫罩蒸镀 | ||
发明领域
本发明涉及在一基体上形成一电子器件的一种方法,特别是涉及利用荫罩沉积技术在基体上形成一个或多个电子器件的电子元件。
背景技术
带有重复图样的电子电路如存储、成像或显示装置在发光二极管(LED)工业已经得到了广泛应用。目前,这些电子电路通常采用光刻工艺成形。
荫罩沉积工艺是一种已知技术并在微电子制造业应用多年。和光刻方法相比,荫罩沉积方法是一种成本极低且较为简单的工艺。因此,利用荫罩沉积工艺形成电子电路将是一个较为理想的选择。
目前,在荫罩沉积工艺中存在的一个问题是需要设计、制造和盘存大量荫罩,在每个荫罩中通常在荫罩内有一个或多个带有独特尺寸和/或位置的孔。因此,举例来说,如果多个荫罩沉积事件是需要生产一种带有重复图样电子电路的电子元件通常需要多个不同的荫罩,因为每个沉积事件通常都要求在基体上一种特定尺寸和/或一种特定位置的材料沉积。
因此,较为理想的是通过提供可组装开孔尺寸的荫罩克服上述类似问题,不必需要为每个沉积事件都设计、制造和盘存一独特的荫罩。
发明内容
本发明揭示一种荫罩沉积方法,包括(a)推进基体通过多个沉积真空容器,每个真空容器都有一个材料沉积源和一个放置在那里的复合荫罩。(b)通过相应荫罩在基体上沉积位于每个沉积真空容器中材料沉积源的材料,在基体上形成包含电子元件排列的电路。每个复合荫罩都包含带有至少一个在其上通过第一孔的第一荫罩和带有至少一个在其上通过第二孔的第二荫罩。每个复合荫罩的第一和第二荫罩都通过与一个第二孔排列成行的第一孔定位,在某种意义上确定通过复合荫罩的一个恰当尺寸开孔,从而按照所希望的图样在其中通过的基体上进行材料的沉积。较好的是,电路是完全通过连续性的在基体上的材料沉积而形成。
每个第一荫罩都能有多个在其上通过的第一孔,所有所述第一孔都有相同的尺寸。每个第二荫罩都能有多个在其上通过的第二孔,所有所述的第二孔都有相同的尺寸。
所有第一荫罩都有在其上通过第一孔的相同图样。所有第二孔都有在其上通过第二孔的相同图样。
每个第一孔都有和每个第二孔相同的尺寸。在每个第一荫罩中第一孔的图样都和在每个第二荫罩中第二孔的图样相同。
电路包含多个同样的电子元件,每个电子元件都有相同的尺寸。在基体上至少一种材料的沉积期间,每个第一孔和每个第二孔都有这样的尺寸,比每个电子元件尺寸的一半大,但小于和两个第二孔排列成行的一个第一孔的尺寸值,或反之亦然。
较好的是,所有荫罩都是相同的。
一个第一沉积真空容器可以包含一个第一复合荫罩,在这个荫罩上有定位的第一和第二荫罩,利用相应第一和第二孔限定带有第一尺寸规格的第一复合荫罩中的一个开孔。一个第二沉积真空容器包含一个第二复合荫罩,在这个荫罩上有定位的第一和第二荫罩,利用相应第一和第二孔来限定带有第二的、不同尺寸的第二复合荫罩中的一个开孔。
多个沉积真空容器可相互连接。所述的基体是一种延伸片材,通过多个沉积真空容器,沿其长度方向被推进,于是,至少基体的一部分经过每个沉积真空容器连续推进。基体的一部分从位于沉积真空容器中的沉积源中获得材料的沉积。
本发明还可以是形成一电子器件的一种荫罩沉积方法。这个方法包括:(a)提供多个相同的荫罩,荫罩摆放在许多仓中,形成类似数量的复合荫罩,每个复合荫罩都放在带有一个材料沉积源的一个沉积真空容器中;(b)通过在第一复合荫罩中的一个开孔,利用在一个第一沉积真空容器中的材料沉积源在基体上沉积一个第一种材料,第一复合荫罩通过在所述第一个复合荫罩的荫罩仓中全部或部分排列的孔形成;和(c)通过在第二复合荫罩中的一个开孔,利用在第二沉积真空容器中的材料沉积源在基体上沉积第二种材料,第二复合荫罩通过在所述的第二复合荫罩的荫罩仓中全部或部分排列的孔形成,其中包含至少一个(i)每个复合荫罩的开孔的尺寸,和(ii)在材料沉积通过所述开孔期间与基体相对的每个复合荫罩的开孔的位置是不同的,因此,在基体上沉积的每种材料的尺寸和/或位置是不同的。
该方法还进一步包括通过类似多个复合荫罩中的开孔在基体上连续沉积多种材料,来在基体上形成一排电子元件,其中每个孔都是通过形成所述的复合荫罩的荫罩中的孔的全部或部分排列而成的。
每种材料可以是一种导体、一种绝缘体和一种半导体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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