[发明专利]利用可组装荫罩模组来进行不同材料的荫罩蒸镀有效
| 申请号: | 200680000288.6 | 申请日: | 2006-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN101124656A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
| 发明(设计)人: | 托马斯·P·布罗迪 | 申请(专利权)人: | 阿德文泰克全球有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3205;H01L21/44;H01L21/31;H01L21/469;B05C11/11;C23C16/00 |
| 代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丛芳;彭晓玲 |
| 地址: | 英属维尔京*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 组装 模组 进行 不同 材料 荫罩蒸镀 | ||
1.形成一种电子装置的一种荫罩沉积方法包括:
(a)推进一基体通过多个沉积真空容器,每个沉积真空容器都包括一个材料沉积源和位于其中的一个复合荫罩;和
(b)利用位于每个沉积真空容器中的材料沉积源在基体上沉积材料,通过相应复合荫罩在基体上形成由一排电子元件组成的一个电路,其中:
每个复合荫罩包括一个第一荫罩,第一荫罩带有至少一个在其上通过的第一孔和一个第二荫罩,第二荫罩带有至少一个在其上通过的第二孔;和
每个复合荫罩的第一和第二荫罩都通过和一个第二孔排列成行的一个第一孔定位,按所需要尺寸规定开孔,经过复合荫罩按照所需要的图样在其上通过的基体上沉积材料。
2.权利要求1所述的方法,其中:
每个第一荫罩都有多个在其上通过的第一孔,所有所述的第一孔都有相同的尺寸;和
每个第二荫罩都有多个在其上通过的第二孔,所有所述的第二孔都有相同的尺寸。
3.权利要求2所述的方法,其中:
所有第一荫罩都有在其上通过第一孔的相同图样;和
所有第二荫罩都有在其上通过第二孔的相同图样。
4.权利要求3所述的方法,其中:
每个第一孔都有和每个第二孔相同的尺寸;和
在每个第一荫罩中的第一孔的图样都和在每个第二荫罩中的第二孔的图样相同。
5.权利要求4所述的方法,其中:
所述的电路包括多个相同的电子元件,每个电子元件都有相同的尺寸;和
在基体上沉积至少一种材料期间,每个第一孔和每个第二孔都有这样的尺寸,比每个电子元件尺寸的二分之一大,但比和两个第二孔排列成行的一个第一孔的尺寸小,或者反之亦然。
6.在权利要求2所述的方法中,所有荫罩都是相同的。
7.权利要求6所述的方法,其中:
一个第一沉积真空容器包括一个第一复合荫罩,这个复合荫罩具有设置的第一和第二荫罩如此就位,相应的第一和第二孔限定一个开孔,这个开孔具有在第一复合荫罩中第一尺寸规格;和
一个第二沉积真空容器包括一个第二复合荫罩,这个复合荫罩具有设置的第一和第二荫罩如此就位,相应的第一和第二孔限定一个开孔,这个开孔在第二复合荫罩中具有一个第二,不同的尺寸规格。
8.权利要求1阐明的方法,其中:
所述的多个沉积真空容器是相互连接的;
所述的基体是一种延伸片材,通过多个沉积真空容器,沿其长度方向被推进,于是,至少基体的一部分经过每个沉积真空容器连续推进;和
所述的基体的一部分从位于沉积真空容器中的沉积源中获得材料的沉积。
9.形成一种电子装置的一种荫罩沉积方法包括:
(a)利用排列在多个仓中的多个相同荫罩形成类似数量的复合荫罩,每个复合荫罩都和一个材料沉积源一起放置在一个沉积真空容器中;
(b)从在一个第一沉积真空容器中的材料沉积源的基体上沉积一个第一种材料,是通过在一个第一复合荫罩中的一个开孔,第一复合荫罩是由形成所述第一个复合荫罩的荫罩仓孔的全部或部分排列而成的;和
(c)从一个第二个沉积真空容器中的材料沉积源在基体上沉积一个第二种材料,是通过在一个第二个复合荫罩中的开孔,利用在,第二个复合荫罩是由形成所述第二个复合荫罩的荫罩的仓孔的全部或部分排列而成的,其中至少一个(i)每个复合荫罩开孔尺寸,和(ii)在沉积材料经过所述开孔期间与基体相对的每个复合荫罩开孔位置是不同的,于是,在基体上沉积的每种材料的尺寸和/或位置是不同的。
10.权利要求9所述的方法,还包括在基体上连续沉积多种材料,经过在类似多个复合荫罩中的开孔,在基体上形成一排电子元件,其中每个开孔都是由在形成所述复合荫罩的荫罩中的孔的全部或部分排列而成的。
11.权利要求10所述的方法,其中每种材料可以是一个导体、一个绝缘体和一个半导体中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





