[发明专利]具有磁场过强保护功能的无源射频识别芯片有效

专利信息
申请号: 200610200887.4 申请日: 2006-09-20
公开(公告)号: CN101149816A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 翁世芳;庄宗仁;刘建林 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G06K19/073 分类号: G06K19/073
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种具有磁场过强保护功能的无源RFID芯片。目前的无源RFID芯片在天线受到强电磁场作用时会产生高电压的交流信号,因此,通过对交流信号整流所得的直流电压也成为高电压。所以出现逻辑电路发热或元件损坏。本发明通过在无源RFID芯片中增加一变容二极管来控制天线的品质因数,在天线受到强电磁场作用时降低感应能力以降低整流所得电压值,到达保护无源RFID芯片内部逻辑电路的目的。
搜索关键词: 具有 磁场 保护 功能 无源 射频 识别 芯片
【主权项】:
1.一种具有磁场过强保护功能的无源射频识别芯片,包括一天线单元,用于接收读取器发出的电磁信号;一输入/输出电路单元;一逻辑电路单元;一电源产生单元,为所述逻辑电路单元提供直流电源,其特征在于,所述无源无源射频识别芯片还包括:一变容二极管,该变容二极管阳极连接于所述天线单元与电源产生单元之间,其阴极接地;一二极管,该二极管阳极与所述电源产生单元电源输出端连接,阴极与天线单元连接
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