[发明专利]具有磁场过强保护功能的无源射频识别芯片有效

专利信息
申请号: 200610200887.4 申请日: 2006-09-20
公开(公告)号: CN101149816A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 翁世芳;庄宗仁;刘建林 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G06K19/073 分类号: G06K19/073
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 具有 磁场 保护 功能 无源 射频 识别 芯片
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种无源射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)芯片,特别是涉及一种具有磁场过强保护功能的无源RFID芯片。

背景技术

近年来,无源射频识别芯片越来越多的被使用,例如用作电子标签,此外,IC卡也是一种RFID芯片。

参阅图1,所示为现有技术下的无源RFID芯片。所述无源RFID芯片1包括一天线单元100,一电源产生单元200,一输入/输出电路单元300,一逻辑电路单元400。天线单元100与电源产生单元200连接,电源产生单元200分别与输入/输出电路单元300及一逻辑电路单元400连接。

天线电路100包括天线线路101和天线电容102。无源RFID芯片自身没有电源,其通过接收由读卡器产生的电磁波8所供给的电磁波而工作。无源RFID芯片逻辑电路单元400中的耗电由电源产生单元200供给,其可以产生直流电源VDD。VDD是在电源产生单元200中通过对天线单元100所接收到的电磁波8进行检波和平滑而产生的。电源产生单元200包括一第一二极管203,一第一电容器201,第二二极管202,一第二电容器204。第二电容器204有足够大的电容量值以向逻辑电路单元400供电。天线单元100输出给电源产生单元200的信号的负分量由第一二极管203和第二二极管202滤除,只有其正分量通过第二二极管202供给各电路。第二电容器204存储已经通过第二二极管202的正分量并在天线单元100信号为负时供电。因此,VDD基本上为恒定值,因而电源产生单元200起直流电压源的作用,其输出直流电源VDD端为电源产生单元200的电源输出端。

无源RFID芯片的优点是可以非接触的方式读出所记录的数据,可以不用电池工作,其耐用性好。但是人们还是期望得到更高的性能,例如,人们希望能使无源RFID芯片读取识别范围增大,因而读取器需要发出很强的功率。而在无源RFID芯片内天线受强电磁波作用时会产生出高交流电信号,通过对该交流电信号整流后所得到的直流电压也随之变高。因此,会出现该RFID芯片内部的逻辑电路和时钟发生器发热甚至损坏。

发明内容

有鉴于此,本发明提供具有磁场过强保护功能的无源RFID芯片,当所述无源RFID芯片接收到的磁场强度过高时降低其天线感应出的电信号电压强度。

本发明提供一种无源RFID芯片,包括一天线单元,用于接收读取器发出的电磁信号;一电源产生单元,为所述无源RFID芯片系统提供直流电源,一输入/输出电路单元300,一逻辑电路单元400;一变容二极管,该变容二极管阳极连接于所述天线单元与电源产生单元之间,其阴极接地;一二极管,该二极管阳极与所述电源产生单元电源输出端连接,阴极与天线单元连接。

本发明提供的无源RFID芯片具有磁场过强保护功能,当所述无源RFID芯片接受到的磁场强度过高时降低其天线感应出的电信号。

附图说明

图1是现有无源RFID芯片的示意图。

图2是本发明无源RFID芯片一实施方式的示意图。

具体实施方式

参阅图2,本发明具有磁场过强保护功能的无源RFID芯片一实施方式的示意图。本发明的实施方案与图1所示现有技术不同在于:在天线单元100与电源产生电源200之间接一变容二极管802,所述变容二极管802阳极连接于所述天线单元100与电源产生单元200之间,其阴极接地;在反馈通路上接一二极管801,该二极管801阳极与所述电源产生单元200的电源输出端连接,阴极与天线单元100连接。

根据无源RFID芯片各电路的安全电压值选择变容二极管802,设所述变容二极管802的阀值电压为V。当直流电源VDD输出的电压小于V时,无源RFID芯片各电路输入的为安全电压。由于VDD输出的电压小于V,变容二极管802截止。当直流电源VDD输出的电压大于V的时,变容二极管802导通。此时天线单元100与变容二极管802并联,天线单元100的品质因数(Q值)降低,感应电磁波8的能力减弱,使电源产生单元200整流后产生的直流电压VDD降低。这样避免当直流电源VDD输出的电压过高而引起无源RFID芯片各电路故障甚至烧坏。

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