[发明专利]具有磁场过强保护功能的无源射频识别芯片有效
申请号: | 200610200887.4 | 申请日: | 2006-09-20 |
公开(公告)号: | CN101149816A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 翁世芳;庄宗仁;刘建林 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | G06K19/073 | 分类号: | G06K19/073 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 磁场 保护 功能 无源 射频 识别 芯片 | ||
1.一种具有磁场过强保护功能的无源射频识别芯片,包括一天线单元,用于接收读取器发出的电磁信号;一输入/输出电路单元;一逻辑电路单元;一电源产生单元,为所述逻辑电路单元提供直流电源,其特征在于,所述无源无源射频识别芯片还包括:
一变容二极管,该变容二极管阳极连接于所述天线单元与电源产生单元之间,其阴极接地;
一二极管,该二极管阳极与所述电源产生单元电源输出端连接,阴极与天线单元连接
2.如权利要求1所述的无源射频识别芯片,其特征在于,所述变容二极管导通时与天线单元并联,天线单元的品质因数降低。
3.如权利要求1所述的无源射频识别芯片,其特征在于,所述电源产生单元输出的电压大于所述变容二极管的阀值电压时该变容二极管导通。
4.如权利要求1所述的无源射频识别芯片,其特征在于,所述电源产生单元输出的电压小于所述变容二极管的阀值电压时该变容二极管截止。
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