[发明专利]一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法

摘要

本发明提供的制备电子型高温超导体La_2－xCe_xCuO₄薄膜的方法，使用直流磁控溅射设备，包括以下步骤：1.按照La_2－xCe_xCuO₄，其中0.08≤x≤0.16配比，采用固相反应法制成La_2－xCe_xCuO₄陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；2.选择衬底：选择SrTiO₃、MgO或LaAlO₃，清洗干净放入反应室内加热台上，关闭反应室；3.将反应室抽真空至背底真空优于2.0×10^－4Pa；4.通过加热器将衬底加热至温度为600－800℃；5.首先向反应室内通入反应气体；6.然后对La_2－xCe_xCuO₄陶瓷靶材表面进行预溅射；7.将加热台移至靶位处，开始在衬底上制备La_2－xCe_xCuO₄薄膜；8.反应结束后，停止通入反应气体，抽真空至真空度优于2×10^－4Pa，然后将制备有La_2－xCe_xCuO₄薄膜的衬底降温到退火温度，进行退火；9.最后将制备有La_2－xCe_xCuO₄薄膜的衬底自然冷却至室温。

主权项

1.一种制备电子型高温超导体La2-xCexCuO4薄膜的方法，其特征在于，在直流磁控溅射设备中进行，包括以下步骤：1).按照La2-xCexCuO4，其中0.08≤x≤0.16配比，采用固相反应法制成La2-xCexCuO4 陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；2).选择衬底：衬底为SrTiO3、MgO或LaAlO3，清洗干净放入反应室内加热台上备用，关闭反应室；3).将反应室抽真空至背底真空优于2.0×10-4Pa；4).通过加热器将衬底加热至温度为600-800℃；5).首先向反应室内通入氧气和氩气的混合气体，其中氧气：氩气的压强比为1/4～1/3，并控制反应室的气压为40-50Pa；6).然后对La2-xCexCuO4陶瓷靶材表面进行预溅射；7).接着调节溅射电流为200-300mA，然后将加热台移至靶位处，开始在衬底上制备La2-xCexCuO4薄膜，溅射时间30-80分钟；8).反应结束后，停止通入反应气体，抽真空至真空度优于2×10-4Pa，然后将制备有LCCO薄膜的衬底降温到退火温度，进行退火，所述退火温度为500～650℃，所述退火时间30～60分钟；9).最后将制备有La2-xCexCuO4薄膜的衬底自然冷却至室温。