[发明专利]一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种制备电子型高温超导体La_2-xCe_xCuO₄薄膜的方法，其特征在于，在直流磁控溅射设备中进行，包括以下步骤：

1).按照La_2-xCe_xCuO₄，其中0.08≤x≤0.16配比，采用固相反应法制成La_2-xCe_xCuO₄陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；

2).选择衬底：衬底为SrTiO₃、MgO或LaAlO₃，清洗干净放入反应室内加热台上备用，关闭反应室；

3).将反应室抽真空至背底真空优于2.0×10^-4Pa；

4).通过加热器将衬底加热至温度为600-800℃；

5).首先向反应室内通入氧气和氩气的混合气体，其中氧气：氩气的压强比为1/4～1/3，并控制反应室的气压为40-50Pa；

6).然后对La_2-xCe_xCuO₄陶瓷靶材表面进行预溅射；

7).接着调节溅射电流为200-300mA，然后将加热台移至靶位处，开始在衬底上制备La_2-xCe_xCuO₄薄膜，溅射时间30-80分钟；

8).反应结束后，停止通入反应气体，抽真空至真空度优于2×10^-4Pa，然后将制备有LCCO薄膜的衬底降温到退火温度，进行退火，所述退火温度为500～650℃，所述退火时间30～60分钟；

9).最后将制备有La_2-xCe_xCuO₄薄膜的衬底自然冷却至室温。

2.按照权利要求1所述的制备电子型高温超导体La_2-xCe_xCuO₄薄膜的方法，其特征在于，步骤6)中对La_2-xCe_xCuO₄陶瓷靶材表面进行预溅射的条件：预溅射电流为200-300mA，预溅射时间为15-30分钟。