[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
| 申请号： | 200610148642.1 | 申请日： | 2006-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101086996A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 赵承奂;金泳敏;宋根圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/28 | 分类号： | H01L27/28;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;李云霞 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，与源电极相对；有机半导体，与源电极和漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于栅电极和有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中，该开口形成为十字形，在该十字形中水平部分和垂直部分交叉。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基底；数据线，形成在所述基底上；栅极线，与所述数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到所述数据线；漏电极，与所述源电极相对；有机半导体，与所述源电极和所述漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于所述栅电极和所述有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，所述有机半导体和所述栅极绝缘构件位于所述开口中，所述开口形成为十字形，其中，所述十字形的水平部分和垂直部分交叉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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