[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

权利要求书

1.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：

在基底上形成数据线；

在所述数据线上形成中间层绝缘膜；

在所述中间层绝缘膜上形成包括栅电极的栅极线；

在所述中间层绝缘膜和所述栅极线上形成有机膜；

通过对所述有机膜进行曝光和显影来形成暴露所述栅电极的开口，所述开口为十字形并由水平部分和与所述水平部分交叉的垂直部分组成；

在所述开口中形成栅极绝缘构件；

在所述有机膜和所述栅极绝缘构件上形成源电极和漏电极；

在位于所述开口中的所述源电极和所述漏电极上形成有机半导体。

2.如权利要求1所述的方法，其中，通过喷墨印刷法来形成所述栅极绝缘构件和所述有机半导体。

3.如权利要求2所述的方法，其中，形成所述栅极绝缘构件的步骤包括：

沿着所述水平部分滴落栅极绝缘溶液；

沿着所述垂直部分滴落栅极绝缘溶液。

4.如权利要求3所述的方法，其中，形成所述有机半导体的步骤包括沿着所述垂直部分滴落有机半导体溶液。

5.如权利要求4所述的方法，其中，沿着所述垂直部分形成所述源电极和所述漏电极。

6.如权利要求1所述的方法，还包括在形成所述开口之后对所述有机膜的表面进行处理。

7.如权利要求6所述的方法，其中，通过对所述有机膜的表面进行疏水处理，来对所述有机膜的表面进行处理。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述疏水处理的步骤包括通过向所述有机膜提供含氟气体来用氟处理所述有机膜的表面。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述栅极绝缘构件和形成所述有机半导体中的至少一个的步骤包括分别将栅极绝缘溶液或有机半导体溶液只滴入用氟处理的所述开口中。