[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

说明书

本发明要求于2006年6月9日提交的第10-2006-0052008号韩国专利申请的优先权，其内容通过引用完全包含于此。 

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。

背景技术

通常，平板显示器比如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示器包括多对场发生电极和置于场发生电极之间的光电有源层。LCD包括作为光电有源层的液晶层，OLED显示器包括作为光电有源层的有机发光层。

形成一对场发生电极的一个场发生电极通常连接到开关元件，以接收电信号，光电有源层将电信号转换成光信号，从而显示图像。

在平板显示器中，为三端子元件的薄膜晶体管(TFT)用作开关元件，栅极线和数据线设置在平板显示器中，其中，栅极线传输用于控制TFT的扫描信号，数据线传输将被施加到像素电极的信号。

已经积极研究了包括代替无机半导体的比如在TFT之中的硅(Si)的有机半导体的有机薄膜晶体管(OTFT)。

由于考虑到有机材料的特性，OTFT可以制作成纤维或薄膜，所以OTFT作为柔性显示装置的核心元件已经备受关注。

此外，由于OTFT可以用低温下的溶液工艺来制造，所以OTFT甚至可以被容易地应用到大型平板显示器，而只受其沉积工艺的限制。

在溶液工艺中的喷墨印刷法是将有机溶液滴在由绝缘存储体限定的预定区域中的方法，该方法并可以容易地形成有机薄膜比如有机半导体或绝缘膜。

然而，由喷墨印刷法形成的有机薄膜具有不均匀的厚度。具体地讲，由于有机半导体和环绕半导体的绝缘存储体的表面特性，有机半导体的与绝缘存储体紧密接触的部分形成得厚，有机半导体的与绝缘存储体分离的部分形成得薄。在这种情况下，其中有机半导体中形成有沟道的部分的非均匀厚度会影响TFT的性能。

此外，OTFT与现有的TFT相比具有不同的结构和制造方法。例如，随着制造OTFT所需的掩模的数量增加，制造OTFT的成本显著增加。

发明内容

本发明致力于提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板的优点在于保持了OTFT的特性并减少了所需掩模的数目。

本发明的示例性实施例提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，与源电极相对；有机半导体，与源电极和漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于栅电极和有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中，该开口在平面上具有十字形，在该十字形中水平部分和垂直部分在所述平面上交叉。

源电极和漏电极中的每个可以沿着垂直部分形成。

栅极绝缘构件可以沿着水平部分和垂直部分形成，有机半导体可以沿着垂直部分形成。

源电极和漏电极可包含氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

绝缘存储体的厚度可以大于栅极绝缘构件的厚度与有机半导体的厚度之和。

有机半导体和栅极绝缘构件可包含可溶的有机材料。

本发明的另一示例性实施例提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在基底上形成数据线；在数据线上形成中间层绝缘膜；在中间层绝缘膜上形成包括栅电极的栅极线；在中间层绝缘膜和栅极线上形成有机膜；通过对有机膜进行曝光和显影来形成暴露栅电极的开口，开口为十字形并由水平部分和与所述水平部分交叉的垂直部分组成；在开口中形成栅极绝缘构件；在有机膜和栅极绝缘构件上形成源电极和漏电极；在位于开口中的源电极和漏电极上形成有机半导体。

通过喷墨印刷法来执行形成栅极绝缘构件和形成有机半导体。

形成栅极绝缘构件可包括沿着水平部分滴落栅极绝缘溶液和沿着垂直部分滴落栅极绝缘溶液。

可以通过沿着垂直部分滴落有机半导体溶液来形成有机半导体。

可以沿着垂直部分来形成源电极和漏电极。

该方法还可包括在形成开口之后对有机膜的表面进行处理。

可以通过对有机膜的表面进行疏水处理来处理有机膜的表面。

可以通过向有机膜提供含氟气体用氟来处理有机膜的表面，来执行疏水处理。

形成栅极绝缘构件和形成有机半导体中的至少一个的步骤可包括分别将栅极绝缘溶液或有机半导体溶液只滴入用氟处理的开口中。

附图说明

通过参照附图对本发明示例性实施例进行进一步描述，本发明将变得更清楚，在附图中：

图1是根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的平面布局图；