[发明专利]多阶非挥发性存储器的制造方法

摘要

一种多阶非挥发性存储器的制造方法，包括下列步骤。于基底上依序形成穿隧介电层、第一导体层、栅间介电层、第二导体层与顶盖层。图案化顶盖层与第二导体层，并暴露出栅间介电层，经图案化的第二导体层形成多个控制栅极。于控制栅极的侧壁形成第一介电层后，以顶盖层为掩模，移除部分栅间介电层、第一导体层，以形成多个浮置栅极。移除部分浮置栅极，使相邻两浮置栅极之间的间距变大。

主权项

1.一种多阶非挥发性存储器的制造方法，包括：于基底上依序形成穿隧介电层、第一导体层与栅间介电层、第二导体层与顶盖层；图案化该顶盖层与该第二导体层，并暴露出该栅间介电层，经图案化的该第二导体层形成多个控制栅极；于该些控制栅极的侧壁形成第一介电层；以该顶盖层为掩模，移除部分该栅间介电层、该第一导体层，以形成多个浮置栅极；移除部分该些浮置栅极，使相邻两该些浮置栅极之间的间距变大；于该些控制栅极与该些浮置栅极的侧壁形成绝缘间隙壁；以及于该基底中形成源极/漏极区。