[发明专利]多阶非挥发性存储器的制造方法

权利要求书

1.一种多阶非挥发性存储器的制造方法，包括：

于基底上依序形成穿隧介电层、第一导体层与栅间介电层、第二导体层与顶盖层；

图案化该顶盖层与该第二导体层，并暴露出该栅间介电层，经图案化的该第二导体层形成多个控制栅极；

于该些控制栅极的侧壁形成第一介电层；

以该顶盖层为掩模，移除部分该栅间介电层、该第一导体层，以形成多个浮置栅极；

移除部分该些浮置栅极，使相邻两该些浮置栅极之间的间距变大；

于该些控制栅极与该些浮置栅极的侧壁形成绝缘间隙壁；以及

于该基底中形成源极/漏极区。

2.如权利要求1所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，其中于该些控制栅极的侧壁形成该第一介电层的方法包括热氧化法。

3.如权利要求1所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，其中移除部分该些浮置栅极的方法包括湿式蚀刻法。

4.如权利要求1所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，还包括于该些浮置栅极的侧壁形成第二介电层。

5.如权利要求1所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，其中于该些浮置栅极的侧壁形成该第二介电层的方法包括热氧化法。

6.如权利要求1所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，还包括于该基底上形成层间绝缘层。

7.如权利要求6所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，其中该层间绝缘层中具有多个空气间隙，位于相邻两该些浮置栅极之间。

8.如权利要求1所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，还包括于该些控制栅极与该些浮置栅极的侧壁形成绝缘间隙壁。

9.一种多阶非挥发性存储器的制造方法，包括：

提供基底，该基底可区分为存储单元区与周边电路区，该存储单元区上形成有穿隧介电层与该周边电路区形成有栅介电层；

于该基底上依序形成第一导体层与栅间介电层；

移除该周边电路区上的该栅间介电层；

于该基底上形成第二导体层与顶盖层，在该周边电路区上的该第二导体层与该第一导体层电连接；

图案化该存储单元区的该顶盖层与该第二导体层，以于该存储单元区形成多个控制栅极，并图案化该周边电路区的该顶盖层、该第二导体层与该第一导体层以形成栅极结构；

于该些控制栅极的侧壁及该栅极结构的侧壁形成第一介电层；

以该存储单元区中的该顶盖层为掩模，移除部分该栅间介电层、该第一导体层，以形成多个浮置栅极；

移除部分该些浮置栅极，使相邻两该些浮置栅极之间的间距变大；

于该存储单元区的该些控制栅极与该些浮置栅极的侧壁形成第一绝缘间隙壁，并于该周边电路区的该栅极结构的侧壁形成第二绝缘间隙壁；以及

于该存储单元区的该基底中形成第一源极/漏极区，并于该周边电路区的该基底中形成第二源极/漏极区。

10.如权利要求9所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，其中于该些控制栅极的侧壁形成该第一介电层的方法包括热氧化法。

11.如权利要求9所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，其中移除部分该些浮置栅极的方法包括湿式蚀刻法。

12.如权利要求9所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，还包括于该些浮置栅极的侧壁形成第二介电层。

13.如权利要求9所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，其中于该些浮置栅极的侧壁形成该第二介电层的方法包括热氧化法。

14.如权利要求9所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，还包括于该基底上形成层间绝缘层。

15.如权利要求14所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，其中该层间绝缘层中具有多个空气间隙，位于相邻两该些浮置栅极之间。

16.如权利要求9所述的多阶非挥发性存储器的制造方法，还包括于由该些控制栅极与该些浮置栅极构成的堆栈结构的侧壁及该栅极结构的侧壁形成绝缘间隙壁。