[发明专利]一种用于超高功率脉冲非平衡磁控溅射的电源方法无效
| 申请号： | 200610134219.6 | 申请日： | 2006-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1948547A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 牟宗信;王振伟;贾莉;李国卿;赵华玉;张鹏云 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H03K3/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 侯明远;李宝元 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开发表了一种用于超高功率非平衡磁控溅射的电源方法，主要用于表面工程技术领域。其特征在于：采用球系开关组和脉冲形成线组控制和形成超高功率脉冲放电，实现超高功率的脉冲非平衡磁控溅射的溅射沉积；使用唯一的一个主电源系统供给多路脉冲形成线组和对应的球系开关组，为不同的非平衡磁控溅射靶供给高功率脉冲，实现扩展输出；同时实现微机智能控制，频率参数连续可调，能够防止过流、过压、过热的损害。本发明的优点是电源结构简单、电源稳定、控制方便、工作效率高、耐冲击、参数调节范围宽广、放电系统能够任意扩展，能够提高薄膜沉积过程中的等离子体离化率，从而达到增强薄膜和基体的结合强度、保证沉积工艺的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 超高 功率 脉冲 平衡 磁控溅射 电源 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于超高功率脉冲非平衡磁控溅射的电源方法，其特征在于：采用球系开关组和脉冲形成线组控制和形成超高功率脉冲放电，实现超高功率的脉冲非平衡磁控溅射的溅射沉积。
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