[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200610129189.X | 申请日: | 2006-09-07 |
公开(公告)号: | CN101140938A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
发明(设计)人: | 黄雋尧;傅光正;林仁杰;叶锦龙 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/136 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省桃园*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。于一基板上依序形成一第一图案化金属层、一绝缘层、一图案化半导体层与一第二图案化金属层以形成一薄膜晶体管阵列基板。其中,第一图案化金属层是于基板上定义出多条扫描线与多条储存电容线。第二图案化金属层是定义出多条信号线,多条信号线是与多条扫描线交叉设置并定义出多个像素区。储存电容线是沿着扫描线方向水平设置并穿过信号线以形成一交叉区域。另外,图案化半导体层定义出一图案化半导体薄膜设置于交叉区域之多条储存电容线上并覆盖此交叉区域。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包含:多条扫描线,是设置于一基板上;多条信号线,是设置于该基板上且与该些扫描线交叉设置以定义出多个像素区;多条储存电容线,是沿着该些扫描线方向水平设置且横跨所述像素区,其中所述储存电容线穿过所述信号线以形成一交叉区域;以及一图案化半导体薄膜,是设置于该交叉区域之所述储存电容线上并覆盖该交叉区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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