[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包含：

多条扫描线，是设置于一基板上；

多条信号线，是设置于该基板上且与该些扫描线交叉设置以定义出多个像素区；

多条储存电容线，是沿着该些扫描线方向水平设置且横跨所述像素区，其中所述储存电容线穿过所述信号线以形成一交叉区域；以及

一图案化半导体薄膜，是设置于该交叉区域之所述储存电容线上并覆盖该交叉区域。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包含一绝缘层，覆盖所述扫描线与所述储存电容线。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该图案化半导体薄膜是设置于该绝缘层上。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该图案化半导体薄膜还设置于所述扫描线与所述信号线的一交叉区域的所述扫描线上并覆盖该交叉区域。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包含多个像素电极，分别设置于所述像素区内并重叠于所述储存电容线上。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包含多个晶体管，设置于所述像素区内的所述扫描线上，且与所述像素电极电性连接。

7.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包含下列步骤：

形成一第一图案化金属层于该基板上，以定义出多条扫描线与多条储存电容线，其中，所述储存电容线是沿着所述扫描线方向水平设置；

形成一绝缘层于该第一图案化金属层上；

形成一第二图案化金属层，以定义多条信号线，其中，所述信号线是与所述扫描线垂直交叉设置并定义出多个像素区，且所述储存电容线是横跨所述像素区并穿过所述信号线；以及

形成一图案化半导体层于该绝缘层上，以定义一图案化半导体薄膜，其设置于所述储存电容线与所述信号线的一交叉区域的所述储存电容线上并覆盖该交叉区域。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于还包含形成多个像素电极于所述像素区内并重叠于所述储存电容线上。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于还包含形成多个晶体管于所述像素区内的所述扫描线上。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，还形成该图案化半导体薄膜于所述扫描线与所述信号线的一交叉区域的所述扫描线上，并覆盖该交叉区域。