[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关一种液晶显示装置，特别是提供一种用于液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。

背景技术

图1为根据先前技术的液晶显示装置的像素平面示意图。于图1中，扫描线102与信号线109是交叉配置定义出一像素区域。储存电容线104是横跨像素区域并与信号线109交叉而过。于扫描线102上配置一欧姆接触薄膜106、一源极电极110与一漏极电极111。另外，于像素区域内，还设置一像素电极114。其中，扫描线102与储存电容线104是同时形成，且其上覆盖一绝缘层(未图示)。储存电容线104是由绝缘层隔离于信号线109下方交叉而过。

由于复合金属层材料的使用，不同金属材料的蚀刻率也不同，故在制作过程中，很难稳定的控制得到良好的倾斜角度，而容易造成底切(under cut)的现象。图2为根据图1中，于信号线109与储存电容线104交会处于A-A’剖线的剖面放大示意图。如图2所示，于一基板100上，储存电容线104的第一金属层有底切的现象。之后，一绝缘层103形成于储存电容线104的金属层上，再形成一信号线109的第二金属层于其上。由于，第一金属层底切的现象，容易使绝缘层103产生破洞导致信号线109与储存电容线104发生短路。此种缺陷(defect)会造成液晶显示装置面板点灯画面为亮线，此面板必须进行阵列测试(array test)或是激光修补(laser repair)，更甚者此面板即列为报废品。因此，如何解决上述问题对提升液晶显示面板的良率是很重要的。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的一目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，通过信号线与储存电容线交叉处设置一图案化半导体薄膜于此两层之间，即可完全解决信号线与储存电容线短路的问题。

本发明的另一目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，仅需更改第二道光掩模于信号线与储存电容线交叉处增加图案化半导体薄膜的图形，无须更改其他层的光掩模设计，可减少新光掩模的开发，并避免信号线与储存电容线交界处的绝缘层破洞造成信号线与储存电容线两层金属短路。

本发明的又一目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，可加强信号线与储存电容线交界处结构，有效的提升产品的良率并适用于各种尺寸的液晶显示装置。

本发明的又一目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，通过信号线与扫描线交叉处设置一图案化半导体薄膜于此两层之间，还可解决信号线与扫描线之间的短路问题。

本发明的再一目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，无须改变工艺条件即可有效的稳定量产良率，可减少不良产品激光修补与阵列测试的时间。

为了达到上述目的，根据本发明一方面提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括：多条扫描线，是设置于一基板上；多条信号线，是与多条扫描线交叉设置并定义出多个像素区；以及多条储存电容线，是沿着多条扫描线方向水平设置横跨多个像素区并穿过多条信号线；以及一图案化半导体薄膜，是设置于多条储存电容线与多条信号线的一交叉区域的多条储存电容线上并覆盖交叉区域。

为了达到上述目的，根据本发明另一方面提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括下列步骤：形成一第一图案化金属层于一基板上，以定义出多条扫描线与多条储存电容线，其中，储存电容线是沿着扫描线方向水平设置；形成一绝缘层于第一图案化金属层上；形成一第二图案化金属层，以定义多条信号线，其中信号线是与扫描线垂直交叉设置并定义出多个像素区，且储存电容线是横跨像素区并穿过信号线；以及形成一图案化半导体层于绝缘层上，以定义一图案化半导体薄膜，其设置于储存电容线与信号线的一交叉区域的储存电容线上并覆盖交叉区域。

附图说明

图1为根据先前技术的液晶显示装置的像素平面示意图。

图2为根据图1中A-A’剖线的剖面放大示意图。

图3为根据本发明一实施例的薄膜晶体管阵列基板的像素平面示意图。

图4为根据图3中B-B’剖线的剖面放大示意图。

具体实施方式