[发明专利]半导体器件中金属布线结构的制作方法

摘要

一种半导体器件中金属布线结构的制作方法，在形成布线图案之后，通过调整刻蚀剂的组成比例，控制紫外光吸收层和内部介质层的刻蚀率的选择比，先进行第一阶段刻蚀，直至完全去除金属内连线区域光刻胶开口位置的深紫外光吸收层；之后，进行第二阶段刻蚀使金属内连线区域的沟道深度和双镶嵌结构区域的沟槽深度基本相同。减少了现有技术金属布线中的形成金属导线的电阻分布不均匀性，提高了电路连接的可靠性。

主权项

1.一种半导体器件中金属布线结构的制作方法，包括：依次在半导体基体上形成刻蚀停止层和内层介电层，所述刻蚀停止层和内层介电层包括双镶嵌结构区域和金属内连线区域；在双镶嵌结构区域的内层介电层上形成通孔；形成填充通孔并覆盖内层介电层的深紫外光吸收层；在深紫外光吸收层上形成光刻胶层，并曝光、显影形成光刻胶开口，双镶嵌结构区域的光刻胶开口位置与通孔位置对应，并且光刻胶开口宽度大于通孔宽度，金属内连线区域的光刻胶开口位置为要形成金属布线的位置；其特征在于，还包括：第一阶段刻蚀：选用对深紫外光吸收层和内层介电层的刻蚀速率选择比大于1的刻蚀剂，以光刻胶层为掩膜，直至完全去除金属内连线区域光刻胶开口位置的深紫外光吸收层；第二阶段刻蚀：刻蚀金属内连线区域光刻胶开口位置的内层介电层，形成沟道，刻蚀双镶嵌结构区域的内层介电层以及通孔内的深紫外光吸收层，形成沟槽；去除光刻胶层和通孔内的深紫外光吸收层。