[发明专利]半导体器件中金属布线结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件中金属布线结构的制作方法，包括：

依次在半导体基体上形成刻蚀停止层和内层介电层，所述刻蚀停止层和内层介电层包括双镶嵌结构区域和金属内连线区域；

在双镶嵌结构区域的内层介电层上形成通孔；

形成填充通孔并覆盖内层介电层的深紫外光吸收层；

在深紫外光吸收层上形成光刻胶层，并曝光、显影形成光刻胶开口，双镶嵌结构区域的光刻胶开口位置与通孔位置对应，并且光刻胶开口宽度大于通孔宽度，金属内连线区域的光刻胶开口位置为要形成金属布线的位置；

其特征在于，还包括：

第一阶段刻蚀：选用对深紫外光吸收层和内层介电层的刻蚀速率选择比大于1的刻蚀剂，以光刻胶层为掩膜，直至完全去除金属内连线区域光刻胶开口位置的深紫外光吸收层；

第二阶段刻蚀：刻蚀金属内连线区域光刻胶开口位置的内层介电层，形成沟道，刻蚀双镶嵌结构区域的内层介电层以及通孔内的深紫外光吸收层，形成沟槽；

去除光刻胶层和通孔内的深紫外光吸收层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件中金属布线结构的制作方法，其特征在于，第一阶段刻蚀选用的刻蚀剂对深紫外光吸收层和内层介电层的刻蚀速率选择比为2∶1～3.5∶1。

3.根据权利要求2所述的半导体器件中金属布线结构的制作方法，其特征在于，所述对深紫外光吸收层和内层介电层的刻蚀速率选择比为2∶1～3.5∶1的刻蚀剂含有如下组分：

C₄F₈、C₂F₆以及C₃F₈中的任意一种，体积百分比含量为2％～10％；

CHF₃、CF₄，NF₃以及SF₆中的任意一种，体积百分比含量为4％～10％；

惰性气体，体积百分比含量为10％～20％；

氧气，体积百分比含量为1％～5％；其余为氮气。

4.根据权利要求1所述的半导体器件中金属布线结构的制作方法，其特征在于，第二阶段刻蚀的刻蚀剂对深紫外光吸收层和内层介电层的刻蚀速率选择比为0.8∶1～1.5∶1。

5.根据权利要求4所述的半导体器件中金属布线结构的制作方法，其特征在于，所述刻蚀剂含有如下组分：CF₄，C₄F₈和C₃F₈中的一种，其体积含量为15％～30％，另一种含氟气体为CHF₃，SF₆和C₃F₈中的一种，其体积含量为10％～20％，惰性气体的体积含量为50％～75％。

6.根据权利要求1所述的半导体器件中金属布线结构的制作方法，其特征在于，所述刻蚀停止层为氮化硅或者碳化硅。

7.根据权利要求1所述的半导体器件中金属布线结构的制作方法，其特征在于，所述内层介电层为氟化玻璃或者黑金刚石。

8.根据权利要求1所述的半导体器件中金属布线结构的制作方法，其特征在于，所述的深紫外光吸收层为吸收深紫外光氧化物，结构式为：