[发明专利]多级互连的可靠性测试结构有效
| 申请号： | 200610119025.9 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101192595A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 施雯;阮玮玮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/522;H01L21/00;H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;杨红梅 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明的实施例涉及允许在多个互连金属层中对电迁移效应进行测试的方法和结构。根据本发明的测试结构的实施例至少包括通过测试结构的不同金属层的两个分段。每个分段分别包括为加载电压和测量电压而配置的节点。对这些节点选择性地施加电压或感测电压，允许迅速、准确地检测每个金属层中的电迁移效应。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 互连 可靠性 测试 结构 | ||
【主权项】：
1.一种互连测试结构，包括：形成在衬底上的第一金属层，所述第一金属层具有第一部分和第二部分；形成在所述衬底上的第二金属层，所述第二金属层具有第一部分和第二部分；介质层，位于所述第一和第二金属层之间；第一导电通路，延伸穿过所述介质层，并接触所述第一金属层的所述第一部分和所述第二金属层的所述第一部分；第二导电通路，延伸穿过所述介质层，并接触所述第二金属层的所述第一部分和所述第一金属层的所述第二部分；第三导电通路，延伸穿过所述介质层，并接触所述第一金属层的所述第二部分和所述第二金属层的所述第二部分，其中没有将所述第一和第二金属层配置成与所述衬底上的互连结构电连通。
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