[发明专利]低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法无效
| 申请号： | 200610114192.4 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101173348A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈宇;王良臣;伊晓燕;李艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/02;C23C16/52;B08B3/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种低损伤PECVD沉积致密的SiO2掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤1：清洗GaN基片：GaN基片用清洗液清洗并吹干；步骤2：沉积SiO2掩蔽层：将经过清洗和吹干后的GaN基片，放入PECVD真空室内，进行沉积SiO2；步骤3：沉积SiO2完成后，持续的充入N2，等腔室的温度降低，从真空室退出GaN基片到预腔室，取出沉积有SiO2掩蔽层的GaN基片；步骤4：采用椭偏仪测量生长的SiO2掩蔽层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 损伤 pecvd 沉积 致密 sio sub 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低损伤PECVD沉积致密的SiO2掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤1：清洗GaN基片：GaN基片用清洗液清洗并吹干；步骤2：沉积SiO2掩蔽层：将经过清洗和吹干后的GaN基片，放PECVD真空室内，进行沉积SiO2；步骤3：沉积SiO2完成后，持续的充入N2，等腔室的温度降低，从真空室退出GaN基片到预腔室，取出沉积有SiO2掩蔽层的GaN基片；步骤4：采用椭偏仪测量生长的SiO2掩蔽层的厚度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
