[发明专利]低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法

权利要求书

1.一种低损伤PECVD沉积致密的SiO₂掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：

步骤1：清洗GaN基片：GaN基片用清洗液清洗并吹干；

步骤2：沉积SiO₂掩蔽层：将经过清洗和吹干后的GaN基片，放PECVD真空室内，进行沉积SiO₂；

步骤3：沉积SiO₂完成后，持续的充入N₂，等腔室的温度降低，从真空室退出GaN基片到预腔室，取出沉积有SiO₂掩蔽层的GaN基片；

步骤4：采用椭偏仪测量生长的SiO₂掩蔽层的厚度。

2.根据权利要求1所述的一种低损伤PECVD沉积致密的SiO₂掩膜层的方法，其特征在于，其中所述的清洗GaN基片的步骤是用丙酮棉球擦洗，然后王水浸泡15min、HCl∶H₂O＝1∶1浸泡5min、乙醇煮沸5min和去离子水冲洗，清洗完后用干N₂吹干。

3.根据权利要求1所述的一种低损伤PECVD沉积致密的SiO₂掩膜层的方法，其特征在于，其中所述的GaN基片放PECVD真空室内时，开始抽真空至压力小于10^-5Pa，升温300℃并保持稳定，然后给真空室充入气体流量389-395sccm的N₂、150-155sccm的SiH₄和1415-1420sccm的N₂O至真空室的压力为690-700mtorr，加射频功率20W放电启辉2秒，然后减小射频功率至15W开始沉积SiO₂掩膜层，SiO₂沉积时间35min，得到厚度7000-7100SiO₂掩蔽层。

4.根据权利要求1所述的一种低损伤PECVD沉积致密的SiO₂掩膜层的方法，其特征在于，其中所述的沉积SiO₂完成后，持续的充入气体流量389-390sccm的N₂，等腔室的温度降低到250℃，退出真空室，防止有沉积SiO₂掩蔽层的GaN基片的开裂，然后取出GaN基片。