[发明专利]一种砷化镓PIN二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GaAs PIN二极管，该GaAs PIN二极管包括：用于支撑整个GaAs PIN二极管的半绝缘GaAs衬底；在半绝缘GaAs衬底上外延生长的高掺杂N⁺层，在高掺杂N⁺层上依次外延生长的接近本征的高阻I层和P⁺层；通过采用湿法刻蚀，所述高掺杂N⁺层、高阻I层和P⁺层的面积依次减小形成台面结构；在P⁺层上蒸发金属形成的圆形结构上电极；在N⁺层上蒸发金属形成的半环形结构下电极。本发明同时公开了一种GaAsPIN二极管的制作方法。利用本发明，不增加工艺难度的前提下有效降低了PIN二极管的寄生电容，同时，连接上电极的微带线大大缩短，由其引入的寄生电感可以大幅减小，甚至可以忽略，无需使用空气桥工艺，制作简便，能够获得更好的高频特性，且易于实现单片集成。

主权项

1.一种砷化镓GaAs PIN二极管，其特征在于，该GaAs PIN二极管包括：用于支撑整个GaAs PIN二极管的半绝缘GaAs衬底；在半绝缘GaAs衬底上外延生长的高掺杂N+层，在高掺杂N+层上依次外延生长的接近本征的高阻I层和P+层；通过采用湿法刻蚀，所述高掺杂P+层、高阻I层和N+层的高度依次降低形成台面结构；在P+层上蒸发金属形成的圆形结构上电极；在N+层上蒸发金属形成的半环形结构下电极。