[发明专利]一种砷化镓PIN二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种砷化镓GaAs PIN二极管，其特征在于，该GaAs PIN二极管包括：

用于支撑整个GaAs PIN二极管的半绝缘GaAs衬底；

在半绝缘GaAs衬底上外延生长的高掺杂N⁺层，在高掺杂N⁺层上依次外延生长的接近本征的高阻I层和P⁺层；通过采用湿法刻蚀，所述高掺杂P⁺层、高阻I层和N⁺层的高度依次降低形成台面结构；

在P⁺层上蒸发金属形成的圆形结构上电极；

在N⁺层上蒸发金属形成的半环形结构下电极。

2.根据权利要求1所述的GaAs PIN二极管，其特征在于，所述在P⁺层上形成圆形结构上电极和在N⁺层上形成半环形结构下电极的金属为Pt/Ti/Au或Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au。

3.一种GaAs PIN二极管的制作方法，其特征在于，该方法包括：

A、在半绝缘GaAs衬底上外延生长高掺杂的N⁺层；

B、在N⁺层上依次外延生长接近本征的高阻层I和P⁺层；

C、采用湿法刻蚀依次刻蚀减小所述高掺杂N⁺层、高阻I层和P⁺层的面积，形成台面结构；

D、在P⁺层和N⁺层上分别蒸发金属形成圆形结构上电极和半环形结构下电极。

4.根据权利要求3所述的GaAs PIN二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤D包括：

在P⁺层和N⁺层上分别蒸发金属Pt/Ti/Au或Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au，形成圆形结构上电极和半环形结构下电极。

5.根据权利要求3所述的GaAs PIN二极管的制作方法，其特征在于，该方法进一步包括：

E、采用RTP法完成P⁺层和N⁺层欧姆接触；

F、在整个二极管器件表面淀积氮化硅，并采用干法刻蚀淀积的氮化硅打开电极引线窗口。