[发明专利]助焊剂残留的去除方法无效
| 申请号： | 200610109631.2 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101123172A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王俊棋;黃耀锋;陈知行;王启宇;蔡孟锦 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种去除助焊剂残留的方法，该方法包括下列步骤：首先提供一具有凸块的晶片，涂布助焊剂于凸块及晶片表面，回流该些凸块，浸泡晶片于一清洗剂中，再以一电浆清洗晶片表面，接着再冲洗此晶片并加以干燥。其中此方法的特征在于以一电浆去除法清洗晶片于清洗剂清洗后所残留下的助焊剂，以清除晶片表面所残留的助焊剂。 | ||
| 搜索关键词： | 焊剂 残留 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除助焊剂残留的方法，适用于晶片工艺中，且该晶片表面会因清洗剂清洗而残留一助焊剂，以一电浆去除法清洗该晶片表面，以降低该助焊剂残留于该晶片表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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