[发明专利]助焊剂残留的去除方法无效
| 申请号： | 200610109631.2 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101123172A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王俊棋;黃耀锋;陈知行;王启宇;蔡孟锦 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊剂 残留 去除 方法 | ||
1.一种去除助焊剂残留的方法，适用于晶片工艺中，且该晶片表面会因清洗剂清洗而残留一助焊剂，以一电浆去除法清洗该晶片表面，以降低该助焊剂残留于该晶片表面。
2.如权利要求1的去除助焊剂残留方法，更包括该电浆去除法后需再进行去离子水(deionize water)高压冲洗该晶片表面。
3.如权利要求1的去除助焊剂残留方法，其中该晶片表面粗糙度大于0.4μm。
4.一种去除助焊剂残留的方法，适用于晶片工艺中，该方法包括下列步骤：
提供一晶片；
形成多个凸块于该晶片上；
涂布一助焊剂于该些凸块表面上；
回流该些凸块；
浸泡该晶片于一清洗剂中；
以一电浆清洗该晶片；
冲洗该晶片；及
干燥该晶片。
5.如权利要求4的去除助焊剂残留方法，其中形成该多个凸块于该晶片步骤前，更包括形成一凸块下金属层以完成图案化，其中该晶片表面粗糙度大于0.4μm；接着，在芯片表面上形成具有光致抗蚀剂图案；再印刷一焊料于该凸块下金属层上；然后，去除光致抗蚀剂图案形成凸块。6.如权利要求4的去除助焊剂残留方法，其中在涂布该助焊剂于该些凸块表面上的步骤后，更包括一预回流步骤。
6.如权利要求4的去除助焊剂残留方法，其中该清洗剂浸泡选自甲氧基乙醇、环铵类及氢氧化钾所组成的族中混合的成分。
7.如权利要求4的去除助焊剂残留方法，其中该晶片表面粗糙度大于0.435μm。
8.如权利要求4的去除助焊剂残留方法，更包括在冲洗该晶片步骤中以去离子水(deionize water)高压冲洗该晶片表面，且该离子水的温度在25℃以下。
9.如权利要求4的去除助焊剂残留方法，其中该电浆清洗该晶片步骤利用电浆产生自由基与化合物反应而加以去除助焊剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
