[发明专利]助焊剂残留的去除方法

说明书

【技术领域】

本发明有关于一种去除助焊剂残留的方法，特别是在于以一电浆去除法清洗一晶片于清洗剂清洗后所残留下的助焊剂，以清除晶片表面残留的助焊剂。

【背景技术】

由于科技的日新月异，现在的电子芯片已愈趋朝微小化加发展，而电子芯片多半是具有不同的功效的电子组件，这些电子组件通常是由焊锡加以焊接在设有电子回路的基板上，如此可以让电子组件正常的运作，然而由于电子组件的微小化，传统的焊接方式已无法再适用于现有的电子芯片焊接作业，因此而有贴焊或称作表面黏着(SMT)的焊接方式及设备的诞生。

以上述SMT方式在进行电子芯片的焊接作业时，皆需要以凸块或锡球来作为焊接工具。由于凸块工艺作业是否圆满都往往会影响到后续晶片工艺，因此，凸块工艺中的每一个步骤都极为重要。一般来说，会先制作多个凸块于一晶片上，而晶片具有一有源表面，且晶片还具有一保护层及多个接点，均配置在晶片的有源表面上，保护层可暴露出此接点。之后，形成一光致抗蚀剂到晶片的有源表面上，并且光致抗蚀剂具有多个开口，暴露出一凸块下金属层。接着，填入多个焊球于开口中，并同时进行一加热步骤以使焊球部份融镕以暂时固定于晶片接点上。等到所有开口皆填入焊球后，再续行一助焊剂涂布动作，以使助焊剂至少覆盖焊球的表面。最后，进行一回流工艺，以使焊球分别与凸块下金属层接合，并将助焊剂清除且将光致抗蚀剂去除以完成凸块工艺，进而可继续晶片的工艺。

而上述凸块或锡球的焊接作业时，常利用助焊剂将基板上的焊点或芯片上的凸块的氧化物或油渍去除达到良好焊接效果。由于这些助焊剂会妨碍电子组件讯号的传输，因此多需进行清洗作业以将助焊剂溶解并去除。

请参阅图一所示，为公知以清洗剂去除助焊剂的图案的示意图。其中晶片10上有多个凸块11，且凸块11周围有助焊剂12残留的情况。

但值得一提的是，在清除助焊剂时，一般利用非水溶性的清洗剂去除，其目前选用的清洗剂的成分选自甲氧基乙醇(浓度为60-100％)、环铵类(浓度为10-30％)及氢氧化钾(浓度为1-5％)的组合。然而，一般晶片表面在上述的清洗剂清洗过后，即可将所残留的助焊剂12完全清除，并无晶片表面残留助焊剂的问题发生，其原因乃在于一般的晶片表面的粗糙度(Ra)多为0.4μm以下，所以不会将助焊剂12的粒子卡在晶片11表面上。但对于非上述粗糙度范围内的晶片11来说(例如0.4μm以上)，由于晶片11表面粗糙度较高的因素，乃造成助焊剂12的粒子卡在晶片表面上，且以清洗剂清洗方式并无法完全清除助焊剂12的粒子。

有鉴于此，为解决上述清洗剂无法完全清除助焊剂的粒子的问题，进而避免晶片表面残留的助焊剂影响到后续晶片工艺，以提升其工艺效能，实为一个刻不容缓的课题。

【发明内容】

本发明的目的，即是在提供一种去除助焊剂残留的方法，适用于一晶片工艺中，其特征在于以一电浆去除法清洗该晶片，以清除于晶片表面残留的助焊剂。

在本发明的一实施例中，一种清洗晶片且去除助焊剂残留的方法，包括下列步骤：首先先提供一晶片，其包含多个焊垫，于该些焊垫每一个上形成一凸块下金属层，涂布一光致抗蚀剂层于该晶片表面上，曝显出该些凸块下金属层，并印刷一焊料于凸块下金属层上，以进行第一次回流预成型该焊料，在去除光致抗蚀剂层后，涂布一助焊剂于该些焊料表面，进行第二次回流，并将焊料成型为一凸块。接着为完全去除此助焊剂，于是浸泡此晶片于一清洗剂中。再以电浆(descum)余膜去除法再次清洗晶片及凸块。并以干净的去离子水(deionize water)高压冲洗(rinse)此晶片表面，将残余的清洗剂一并清洗干净。最后对晶片表面加以进行干燥。

在本发明的一实施例中，此晶片表面的粗糙度大于0.435μm。

在本发明的一实施例中，电浆余膜清洗此晶片步骤是利用电浆产生自由基与化合物反应而加以去除助焊剂。

在本发明的一实施例中，干燥此晶片步骤可使用一离心装置或是一烘烤装置进行晶片干燥。

为了能更进一步了解本发明特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

【附图说明】

图一是示出公知以清洗剂去除助焊剂的图案的示意图；

图二是示出本发明以电浆余膜去除助焊剂的流程示意图；及

图三是示出本发明以电浆余膜去除助焊剂的图案的示意图。

【主要组件符号说明】

晶片10、20

凸块11

助焊剂12

【具体实施方式】